MOSFET的電氣特性（靜態(tài)特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）
柵極漏電流（IGSS）
當在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時產生的漏電流
IGSS測量
漏極截止電流（IDSS）
柵極漏電流（IGSS）
當在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時產生的漏電流
IGSS測量
漏極截止電流（IDSS）
審核編輯 ：李倩
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原文標題：MOSFET的電氣特性（靜態(tài)特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）
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發(fā)表于 04-11 10:04
有沒有一種能測試90%以上半導體分立器件靜態(tài)參數的設備，精度及測試范圍寬，可與分選機、探針臺聯(lián)機測試？
、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss
發(fā)表于 03-20 11:30
SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其
工商網監(jiān)
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