国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

CG2H80060D?C波段GaN HEMT管芯CREE

盧婷 ? 來源:321168952 ? 作者:321168952 ? 2022-11-01 09:29 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能指標;CG2H80060D包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移速率;及其更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,CG2H80060D具備更多的功率密度參數和更寬的網絡帶寬。

特征

60W典型的PSAT

28V操控

高擊穿場強

高溫度操控

最高的8GHz操控

效率高

應用

雙重專用型收音機

寬帶放大器

蜂窩基礎設施建設

測試設備

ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣;CDMA波型

CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。

Product SKU Technology Frequency Min Frequency Max Peak Output Power Gain Efficiency Operating Voltage Form Package Type
CG2H80060D-GP4 GaN on SiC DC 8 GHz 60 W >12 dB 70% 28 V Discrete Bare Die Die


審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    67

    文章

    1893

    瀏覽量

    119776
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    21

    文章

    2366

    瀏覽量

    82354
  • 管芯
    +關注

    關注

    0

    文章

    10

    瀏覽量

    8309
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    CGH40006P射頻晶體管

    CGH40006P射頻晶體管CGH40006P是Wolfspeed(原CREE)推出的一款 6W 射頻功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),采用 28V 電源軌設計,具備 DC 至
    發表于 02-03 10:00

    快充國產替代新突破!爭妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD,替代英諾賽科INN650D02

    在消費電子快充領域,300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲能等高頻需求,成為市場增長核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核心器件,長期被英諾賽科INN650D
    的頭像 發表于 12-23 14:50 ?2212次閱讀
    快充國產替代新突破!爭妍微650V <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>賦能300W USB-<b class='flag-5'>C</b> PD,替代英諾賽科INN650<b class='flag-5'>D</b>02

    CHA8107-QCB兩級氮化鎵(GaN)高功率放大器

    (HPA)單片微波集成電路(MMIC),主要面向 4.5-6.8GHz 頻段應用,采用 GaN-on-SiC HEMT 工藝并帶濕度保護,封裝為 QFN 塑封。具備高功率輸出、高效率及寬電壓工作范圍等
    發表于 12-12 09:40

    GaN HEMT器件的結構和工作模式

    繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術簡介后,我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,在消費電子領域,特別是快速充電器產品的成功商用,昭示了其成熟的市場地位與廣闊應用前景。
    的頭像 發表于 09-02 17:18 ?4730次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>器件的結構和工作模式

    垂直GaN迎來新突破!

    的垂直GaN HEMT功率器件技術。 ? 致能半導體全球首次在硅襯底上實現了垂直的GaN/AlGaN結構生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎,致能實現了全球首個具有垂直
    發表于 07-22 07:46 ?4974次閱讀
    垂直<b class='flag-5'>GaN</b>迎來新突破!

    SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT,其內部匹配標準通信頻段,可提供最佳功率和線性度。

    SGK5872-20A 類別:GaN 產品 > 用于無線電鏈路和衛星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼:I2C 功能:C
    發表于 06-16 16:18

    增強AlN/GaN HEMT

    一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學的工程師們宣稱,他們已經打開了一扇大
    的頭像 發表于 06-12 15:44 ?998次閱讀
    增強AlN/<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>

    FA30-220S24H2D4 FA30-220S24H2D4

    電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA30-220S24H2D4相關產品參數、數據手冊,更有FA30-220S24H2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,FA30-220S24H2D4真
    發表于 03-25 18:31
    FA30-220S24<b class='flag-5'>H2D</b>4 FA30-220S24<b class='flag-5'>H2D</b>4

    NN2-24D15H6R3 NN2-24D15H6R3

    電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)NN2-24D15H6R3相關產品參數、數據手冊,更有NN2-24D15H6R3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NN2-24D15H6R3真值表,NN
    發表于 03-19 18:49
    NN<b class='flag-5'>2-24D15H</b>6R3 NN<b class='flag-5'>2-24D15H</b>6R3

    FN2-24D15H6 FN2-24D15H6

    電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FN2-24D15H6相關產品參數、數據手冊,更有FN2-24D15H6的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,FN2-24D15H6真值表,FN
    發表于 03-19 18:48
    FN<b class='flag-5'>2-24D15H</b>6 FN<b class='flag-5'>2-24D15H</b>6

    FN2-24D15C FN2-24D15C

    電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FN2-24D15C相關產品參數、數據手冊,更有FN2-24D15C的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,FN2-24D15C真值表,FN
    發表于 03-19 18:46
    FN<b class='flag-5'>2-24D15C</b> FN<b class='flag-5'>2-24D15C</b>

    FA10-220H051515E2D4 FA10-220H051515E2D4

    電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA10-220H051515E2D4相關產品參數、數據手冊,更有FA10-220H051515E2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文
    發表于 03-18 18:52
    FA10-220<b class='flag-5'>H051515E2D</b>4 FA10-220<b class='flag-5'>H051515E2D</b>4

    FA20-300S24H2D4P2 FA20-300S24H2D4P2

    電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA20-300S24H2D4P2相關產品參數、數據手冊,更有FA20-300S24H2D4P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
    發表于 03-18 18:29
    FA20-300S24<b class='flag-5'>H2D4P2</b> FA20-300S24<b class='flag-5'>H2D4P2</b>

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發。本文檔首先介紹該模
    的頭像 發表于 03-11 17:43 ?2623次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>的SPICE模型使用指南及示例

    GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

    GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
    的頭像 發表于 03-07 15:46 ?1024次閱讀
    GNP1070TC-Z 650V <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數據手冊