據麥姆斯咨詢報道，近日，長春光機所***院士團隊在《中國光學》期刊上發表了題為“長春光機所高速垂直腔面發射激光器研究進展”的最新論文，團隊通過優化VCSEL外延設計和生長、器件設計和制備、以及性能表征技術，在多個波長的高速VCSEL的調制帶寬、傳輸速率、模式、功耗等性能方面取得了顯著進展。

摘要：高速垂直腔面發射激光器（VCSEL）是高速光通信的主要光源之一，受數據流量的迅速增長牽引，高速VCSEL正向更大帶寬、更高速率方向發展。長春光機所團隊通過優化VCSEL外延設計和生長、器件設計和制備、以及性能表征技術，在多個波長的高速VCSEL的調制帶寬、傳輸速率、模式、功耗等性能方面取得了顯著進展。實現高速單模940nm VCSEL 27.65GHz調制帶寬和53Gbit/s傳輸速率；通過波分復用基于850nm、880nm、910nm和940nm高速VCSEL實現200Gbit/s鏈路方案；通過光子壽命優化，實現高速VCSEL低至100fJ/bit的超低能耗；實現1030nm高速VCSEL 25GHz調制帶寬；實現1550nm高速VCSEL 37Gbit/s傳輸速率。研制的高速VCSEL在光通信等領域有重要應用前景。

引言

隨著流媒體、云計算、區塊鏈等新興消費和社交媒體的出現，互聯網流量以每年約60%的速度大幅增長，遠遠超過思科（Cisco）公司預測。垂直腔面發射激光器（VCSEL）具有閾值電流低、量子效率高、調制帶寬高、能耗低等優點，基于VCSEL和多模光纖（MMF）是數據傳輸的重要組成部分。數據流量的迅速增長牽引VCSEL向更大帶寬、更高速率、更低能耗方向發展。

在高速VCSEL調制帶寬方面，查爾姆斯理工大學（CUT）、伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校（UIUC）、Finisar等多個研究組都實現了850nm VCSEL近30 GHz的調制帶寬。CHENG C L、HAGHIGHI N、SIMPANEN E在940nm、980nm和1060nm波長高速VCSEL研究方面，也分別實現了類似的指標。在高速VCSEL傳輸速率方面，KUCHTA D M等人采用前饋均衡驅動實現不歸零碼（NRZ-OOK）調制下71Gb/s數據傳輸。4電平脈沖幅度調制（PAM4）可進一步提升傳輸速率，并可通過均衡和前向糾錯進一步提升傳輸速率至200Gbit/s。通過波分復用（WDM），可大大增加光鏈路的容量和傳輸速率。單模VCSEL可延長傳輸距離至2000m以上。在能耗方面，MOSER P實現了56fJ/bit@25Gb/s的超低能耗。

面向高速光通信需求，研究人員從高速VCSEL帶寬限制機理和提升方法出發，通過優化VCSEL外延設計和生長、器件設計和制備以及性能表征技術，在多個波長高速VCSEL的調制帶寬、傳輸速率、模式、功耗等性能方面取得了顯著進展，可滿足不同應用場景。本文接下來第二部分將介紹帶寬限制因素和提升方法；第三部分介紹本課題組高速VCSEL的研究進展；第四部分進行總結。

高速VCSEL帶寬限制因素

氧化限制型高速VCSEL截面示意圖如圖1所示。其主要包括有源區，p-和n-布拉格反射鏡（DBR），單層或多層氧化孔，苯丙環丁烯（BCB）填平材料，p-、n-電極和共面電極。有源區可為量子阱或量子點。DBR由兩種具有不同折射率、每層厚度為四分之一波長的材料交替生長組成；氧化孔可通過濕法氧化高Al組分的氧化層制備。

圖1 氧化限制型高速VCSEL截面示意圖

VCSEL的頻率響應可以用傳輸函數來表征，

為了提高調制帶寬，需要增大馳豫振蕩頻率，減小阻尼因子和增大寄生截止頻率。

。..。.. 高速1030nm VCSEL

相比于850nm波長VCSEL，1030nm波長VCSEL在光纖傳輸中的色散和衰減大大降低，有利于提高傳輸距離。此外，1030nm VCSEL可應用于850?1060nm波段（間隔30nm）的WDM，提高光纖鏈路的通信容量和傳輸速率。

本課題組采用應變InGaAs/GaAsP量子阱、λ/2短光腔和6層氧化物孔設計，提高縱向光限制因子、降低寄生電容，提高VCSEL的3dB帶寬。研制的高速1030nm VCSEL模擬、測試表征結果如圖2所示。

圖2 （a）設計的VCSEL折射率分布和駐波場分布；（b）氧化后的VCSEL截面SEM；（c）1030nm VCSEL L-I-V；（d）1030nm VCSEL光譜；（e）25℃條件下1030nm VCSEL小信號響應；（f）85℃條件下1030nm VCSEL小信號響應

高速1550nm VCSEL

1550nm VCSEL在光纖中傳輸損耗小，更適合于長距離光纖傳輸。目前，1550nm VCSEL技術還不成熟：與長波長有源區相比配的高反射率和低電阻的DBR難以生長，有效電流限制層難以制備、熱問題顯著。晶圓熔合（WF）技術為高性能DBR難以形成的問題提供了解決方案。在InP襯底上生長有源區，在GaAs襯底上生長熱性能好的DBR，然后通過晶圓熔合技術將它們結合在一起，從而獲得腔長較短、散熱性能較好的1550nm VCSEL。此外，掩埋隧道結（BTJ）結構可減少長波長VCSEL的熱效應，并實現對電流的限制。俄羅斯ITMO大學的L.Karachinsky團隊通過晶圓融合和BTJ技術制備了1550nm VCSEL。

我們與Karachinsky團隊合作，在室溫、6mA偏置電流和1V調制電壓條件下，提高1550nm VCSEL傳輸速率至37Gbit/s（3m單模光纖），在誤碼率BER=10?12下眼寬0.25UI（6.75ps），總抖動75%（20.27ps），如圖3所示。

圖3（a）高速1550nm VCSEL傳輸眼圖；（b）高速1550nm VCSEL浴盆曲線。BTJ為6μm。

結束語

通過優化VCSEL外延設計和生長、器件設計和制備、以及性能表征技術，在多個波長的高速VCSEL的調制帶寬、傳輸速率、模式、功耗等性能方面取得了顯著進展。實現了高速單模940nm VCSEL 27.65GHz調制帶寬和53Gbit/s傳輸速率；通過波分復用基于850nm、880nm、910nm和940nm高速VCSEL實現了200Gbit/s鏈路方案；通過光子壽命優化，實現了高速VCSEL低至100fJ/bit的超低能耗；實現了1030nm高速VCSEL 25GHz調制帶寬；實現了1550nm高速VCSEL 37Gbit/s傳輸速率。研制的高速VCSEL在高速光通信等有重要應用前景。

本研究獲得了國家重點研發計劃（No. 2021YFB2801000，No. 2018YFB2201000）、國家自然科學基金（No. 61774156，No.62174159，No. 62061136010）、中國科學院青年創新促進會（No. 2018249）、中德科學中心合作交流項目（No. M0386）、吉林省國際合作項目（No. 20210402055GH）的支持。

審核編輯 ：李倩