隨著新能源行業(yè)的發(fā)展，IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統中的關鍵半導體器件組成部分，市場對其應用條件和性能提出更高的要求，對于驅動方案的要求也隨之提高。日前，金升陽推出了IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅動電源QA-R3/QA_C-R3系列產品，以及滿足更加嚴苛的應用需求的驅動電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產品。

為打造更具有高性價比的驅動電源，金升陽基于自主IC設計平臺升級開發(fā)出內部采用非對稱式電壓輸出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列產品，以期為客戶提供更優(yōu)質的電源解決方案。

產品優(yōu)勢

5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

基于自主IC設計平臺，此系列產品能提供兩組隔離輸出電壓，輸出1-輸出2隔離電壓高達3750VAC，同時輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC，遠優(yōu)于市場上常規(guī)產品，且滿足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。

滿足1700VDC長期絕緣要求

（使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列驅動電源基于IEC-61800-5-1標準要求，實現長期絕緣電壓（持續(xù)放電）滿足1700V，且應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件，產品原副邊電氣間隙/爬電距離達22.36mm（typ.）。

性能更優(yōu)

支持雙組驅動，滿足半橋式整流應用

低低紋&波噪聲：50mVpp

強帶載能力：2200uF

超小隔離電容：4.2pF

高效率：85%

高性價比

此系列是專門為IGBT/SIC MOSFET驅動器而設計的DC-DC模塊電源，其內部采用了非對稱式電壓輸出形式，盡可能減小IGBT/SIC MOSFET的驅動損耗。且雙組輸出QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列的成本低于2個單組輸出產品合價。

產品應用

作為IGBT/SiC MOSFET專用驅動電源，可用于光伏逆變器、電機驅動、充電樁等多種場合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅動，以光伏SVG系統為例，可配合驅動芯片來共同驅動后端的IGBT器件，實現系統的有效運行。

產品特點

隔離電壓5000VAC（加強絕緣）

局部放電 1700V

CMTI>200kV/μs

最大容性負載2200μF

超小隔離電容4.2pF(typ.)

效率高達85%

工作溫度范圍: -40℃ to +105℃