前言

氮化鎵技術(shù)在消費類電源領(lǐng)域的大規(guī)模商用，帶來了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性，體積小巧、更加便攜的高密度快充逐漸取代了傳統(tǒng)的傳統(tǒng)板磚式電源適配器，用戶使用體驗得到大幅改善。

而隨著合封氮化鎵芯片的出現(xiàn)，使用一顆芯片就可完成此前需要多顆芯片才能實現(xiàn)的功能，規(guī)避了氮化鎵功率器件在控制、驅(qū)動方面的難題，有效簡化了快充電源的設(shè)計，降低電源廠商的開發(fā)和生產(chǎn)成本。近期，華源智信就推出了一款合封氮化鎵芯片 HYC3606，下面充電頭網(wǎng)為各位介紹這款新品的亮點特色。 華源智信合封氮化鎵新品登場 華源 HYC3606 內(nèi)部集成了 650V/360mΩ 的氮化鎵功率器件、數(shù)字多模式反激控制器和自適應氮化鎵柵極驅(qū)動器，通過合封的方式消除寄生參數(shù)對高頻開關(guān)造成的干擾，并減小外部元件數(shù)量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

華源 HYC3606 可選 ESOP8 / DFN5x6 兩種封裝，工作頻率可選 89K / 130K，支持 CCM/DCM/PFM/突發(fā)運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片可平衡開關(guān)損耗和EMI，支持抖頻功能以改善EMI性能。

華源 HYC3606 采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。芯片支持靜點GND散熱，內(nèi)置有豐富的保護功能，包括LPS, VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

華源 HYC3606 典型應用電路如上圖所示，芯片待機功耗小于60mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術(shù)，能夠提升高壓輸入的轉(zhuǎn)換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應用，提高能效并降低成本。

華源 HYC3606 目前提供四種選型，開關(guān)頻率可選 89kHz 和 130kHz，高線電壓下均為 QR 模式運行，低線電壓下可選 QR 和 CCM/QR 模式運行，封裝可選 ESOP8 和 DFN5x6。

華源 HYC3606E 參考設(shè)計方案在接入 1.5m 線纜，3.3V 輸出的條件下，輸出效率如上表所示。115Vac 輸入時，方案平均效率超 DOE 六級能效標準近2%；230Vac 輸入時，方案平均效率超 DOE 六級能效標準1%。

華源 HYC3606E 參考設(shè)計方案在接入 1.5m 線纜，5V 輸出的條件下動態(tài)測試如上圖所示。115Vac 輸入時，方案動態(tài)欠充最小值為 3.49V；230Vac 輸入時，方案動態(tài)欠充最小值為 3.46V。

華源 HYC3606E 參考設(shè)計方案能效測試如上圖所示，在 20V 輸出下效率最高超 92%，15V 輸出下效率最高超 93%，9V 輸出下效率最高超 92.5%，5V 輸出下效率最高超 91.5%。

華源 HYC3606E 參考設(shè)計方案待機功耗測試如上圖所示，在 90V/60Hz、115V/60Hz、230V/50Hz、264V/50Hz 四種輸入條件下均滿足歐盟 COC V5 能效標準。

總結(jié) 華源 HYC3606 通過將控制器、氮化鎵開關(guān)管和氮化鎵驅(qū)動集成到一個封裝內(nèi)部，有效降低走線寄生電感對氮化鎵工作的影響，同時GND散熱的方式，極大的擴展了系統(tǒng)的散熱面積，避免了噪聲干擾，簡化快充的設(shè)計及調(diào)試，并且降低器件和制造成本，提高快充功率密度，提升快充產(chǎn)品的競爭力。

華源智信半導體深耕于電源管理、數(shù)字電源以及家用電器電源管理等應用領(lǐng)域，致力于為客戶提供高性能、高品質(zhì)、客制化的工業(yè)與消費電子產(chǎn)品解決方案，打造成為從交流到直流一體化高效智慧節(jié)能的綜合電源管理解決方案供應商。