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NP60P02D6 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源:微雨問(wèn)海棠 ? 作者:微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-07 16:00 ? 次閱讀
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描述

NP60P02D6采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適用于

用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。

一般特征

?VDS = -20v id = -60a

RDS(上)(Typ) = 3.8Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 4.4Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

?150℃的工作溫度

?100% ui測(cè)試

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開(kāi)關(guān)

?不間斷電源

?PDFN5 * 6-8L-A

pYYBAGLGkeeAURcEAADp1UpBe2c011.png

訂購(gòu)信息

poYBAGLGkfeAJqr3AAA2Sj51r40863.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLGkhaARJpMAACjbBjrLyI306.png

pYYBAGLGkiSAC67tAAAZhSPhuU4652.png

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLGkj-AXSkDAAJ0CnOUcJ0689.png

熱特性

pYYBAGLGklOAdcjoAABmXCPlYQc118.png

答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測(cè)量的。銅,在靜止的空氣環(huán)境中

T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。目前的評(píng)級(jí)是基于

t≤10s熱阻額定值。

B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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