国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國產(chǎn)SiC MOSFET為什么遲遲還未上車?

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2022-07-06 08:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC在電動(dòng)汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用,隨著市場對電動(dòng)汽車長續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求,正在加速普及。

傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性質(zhì)受限,在高溫、高壓、高頻、高功率等領(lǐng)域上性能上限較低。而SiC的耐高壓能力是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍。與硅基模塊相比,碳化硅二極管及開關(guān)管組成的模塊(全碳模塊),不僅具有碳化硅材料本征特性優(yōu)勢,在應(yīng)用時(shí)還可以縮小模塊體積50%以上、消減電子轉(zhuǎn)換損耗80%以上。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中可以簡化散熱系統(tǒng),降低熱預(yù)算,同時(shí)減小電容電感體積,從而降低系統(tǒng)綜合成本。

不過也不難發(fā)現(xiàn),目前國內(nèi)的SiC模塊,包括最近極氪威睿200kW電驅(qū)動(dòng)總成的SiC模塊供應(yīng)商芯聚能,包括比亞迪的SiC模塊,都采用海外大廠的SiCMOSFET,比如羅姆、ST、英飛凌等等。當(dāng)然,自研SiC模塊,同樣不簡單,需要通過各種可靠性測試,器件集成化、高頻、高壓等SiC器件對功率模塊封裝形式和工藝都有很高的要求。

事實(shí)上國產(chǎn)SiCMOSFET產(chǎn)品也有不少,國內(nèi)規(guī)模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產(chǎn)品,而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進(jìn)入車規(guī)SiCMOSFET賽道。但問題在于,即使近幾年汽車缺芯現(xiàn)象不斷,SiC產(chǎn)能也明顯供不應(yīng)求,車企也在尋找更多的國產(chǎn)替代的時(shí)候,國產(chǎn)SiCMOSFET依然幾乎未被用于電動(dòng)汽車上。

這要從材料開始說起。SiC襯底和外延層由于制造工藝的問題,往往缺陷密度較大,特別是相比與硅而言。至于車規(guī)級(jí)的高要求,以往對于國內(nèi)襯底以及外延等產(chǎn)品指標(biāo)來說難以滿足要求的同時(shí)規(guī)模化供應(yīng)。這也是為什么說碳化硅行業(yè)得襯底者得天下,要滿足車規(guī)級(jí)要求,器件封裝設(shè)計(jì)固然重要,但相比之下襯底和外延材料方面的指標(biāo)更加顯得關(guān)鍵。

目前國內(nèi)獲得車企訂單的SiCMOSFET供應(yīng)商并不多,以派恩杰為例,去年年底據(jù)消息人士透露獲得了國內(nèi)新能源龍頭車企OBC應(yīng)用的數(shù)千萬級(jí)別訂單,電驅(qū)應(yīng)用的SiCMOSFET產(chǎn)品也早在去年2月已經(jīng)發(fā)布,而其代工廠是德國X-FAB。據(jù)了解,派恩杰的SiCMOSFET綜合良率在80%-90%左右,隨著功率的增大良率也會(huì)隨之降低,這是由材料缺陷造成的。

同時(shí),目前國產(chǎn)SiCMOSFET在可靠性和產(chǎn)能兩方面都是較為薄弱的。產(chǎn)能方面,需要國內(nèi)SiC襯底、外延等材料廠商的支持,在降低材料缺陷密度的同時(shí)提高產(chǎn)量。而產(chǎn)量的關(guān)鍵,是長晶技術(shù)和SiC襯底尺寸,目前國內(nèi)SiC襯底供應(yīng)逐漸完成從4英寸到6英寸的升級(jí),但國際上看,以Wolfspeed為首的SiC巨頭今年已經(jīng)開始進(jìn)入8英寸襯底量產(chǎn)節(jié)奏,國內(nèi)差距至少在2-3年。

而可靠性方面,類似于國產(chǎn)車規(guī)MCU的發(fā)展路線,很多廠商從工規(guī)開始做起,逐漸過渡向車規(guī),SiCMOSFET也一樣。有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,國內(nèi)SiCMOSFET的發(fā)展路線,需要結(jié)合國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢和特點(diǎn),先做到工業(yè)級(jí)的品質(zhì),提高產(chǎn)能后再慢慢突破車規(guī)級(jí)可靠性等技術(shù)要求。

去年吉利與芯聚能合資成立了廣東芯粵能半導(dǎo)體,目標(biāo)就是自產(chǎn)SiC功率器件,包括SBD、MOSFET等等。芯粵能SiC芯片項(xiàng)目總投資75億元,一期投資35億元,目標(biāo)年產(chǎn)24萬片英寸SiC晶圓產(chǎn)線;二期建設(shè)年產(chǎn)24萬片8英寸SiC晶圓的產(chǎn)線。按照規(guī)劃,芯粵能SiC器件2024年可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)上車。

另外更多的國內(nèi)企業(yè)也推出了車規(guī)級(jí)的SiCMOSFET產(chǎn)品,比如清純半導(dǎo)體推出的車規(guī)級(jí)15V驅(qū)動(dòng)SiCMOSFET,并在國內(nèi)產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);芯塔電子也表示已經(jīng)有車規(guī)級(jí)1200VSiCMOSFET送樣測試;基本半導(dǎo)體、派恩杰、愛仕特、瀚薪、瞻芯電子等都有相關(guān)產(chǎn)品已經(jīng)推出。產(chǎn)品進(jìn)入爆發(fā)期,按照汽車行業(yè)的驗(yàn)證周期維度來算,我們可能會(huì)在1-2年后,就能看到國產(chǎn)SiCMOSFET大規(guī)模被應(yīng)用在新能源汽車上。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3720

    瀏覽量

    69376
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3464

    瀏覽量

    52325
  • SiCMOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    13

    瀏覽量

    5423
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國產(chǎn)低內(nèi)阻SiC碳化硅MOSFET單管的產(chǎn)品矩陣特點(diǎn)與應(yīng)用范疇研究報(bào)告

    國產(chǎn)低內(nèi)阻SiC碳化硅MOSFET單管的產(chǎn)品矩陣特點(diǎn)與應(yīng)用范疇研究報(bào)告 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源
    的頭像 發(fā)表于 01-17 12:56 ?158次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>低內(nèi)阻<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>單管的產(chǎn)品矩陣特點(diǎn)與應(yīng)用范疇研究報(bào)告

    又一國產(chǎn)SiC MOSFET上車

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近,湖南三安半導(dǎo)體舉行了碳化硅芯片上車儀式,標(biāo)志著國產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅主驅(qū)芯片實(shí)現(xiàn)從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)模化裝車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 12-09 09:25 ?5283次閱讀

    兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎

    兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
    的頭像 發(fā)表于 07-23 18:10 ?1167次閱讀
    兩款<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>1700V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎

    SiC MOSFET計(jì)算損耗的方法

    本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進(jìn)行分割,并使用近似公式計(jì)算功率損耗的方法。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 11:22 ?2455次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>計(jì)算損耗的方法

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1168次閱讀

    硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

    革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口I
    的頭像 發(fā)表于 05-30 16:24 ?1146次閱讀
    硅基時(shí)代的黃昏:為何<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>全面淘汰IGBT?

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?1501次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSF
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?1055次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

    破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬 值此五一勞動(dòng)節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國產(chǎn)碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:42 ?622次閱讀
    破浪前行 追光而上——向<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

    基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?693次閱讀
    基于<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

    0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
    發(fā)表于 04-23 11:25

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiCMOSFET動(dòng)態(tài)測試中的應(yīng)用

    碳化硅(SiCMOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    全球首發(fā)上車國產(chǎn)1500V SiC MOSFET

    平臺(tái)下實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車充電、動(dòng)力性能的全新體驗(yàn),而支撐起這些體驗(yàn)的,是碳化硅功率芯片和功率模塊。 ? 目前主流800V電壓架構(gòu)中,高壓部分的大功率用電設(shè)備,比如空調(diào)壓縮機(jī)、主驅(qū)逆變器等部分,需要用到1200V的SiC MOSFET。為了確保器件在電壓波動(dòng)或瞬態(tài)尖峰下的可
    的頭像 發(fā)表于 03-31 01:23 ?2454次閱讀

    SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性

    本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測試波形的準(zhǔn)確性。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:52 ?2139次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的動(dòng)態(tài)特性

    碳化硅(SiCMOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅(SiCMOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1872次閱讀
    碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A