IBM提出了一種稱為納米片的技術，可以像堆疊閃存cell一樣堆疊晶體管。2納米測試芯片中有三層晶體管，這被稱為2納米技術，不是因為它的晶體管柵極尺寸實際上是2納米，而是因為這種3D技術在晶體管速度，密度和功耗方面給出了結果。

對于Power Systems客戶而言，重要的是IBM正在與三星合作，并且已經在其位于紐約奧爾巴尼的技術中心以標準300毫米硅晶圓交付了7納米，5納米和現在2納米的測試芯片。

那些所謂的2納米晶體管的晶體管速度提高了45％，或與該晶體管以相同的速度，但僅使用了75％的功耗，因此使用了極紫外（EUV）光刻技術進行了許多步驟的蝕刻，這是IBM和三星為7納米工藝創建的。

Power10芯片的這一工藝將于今年晚些時候在大型iron NUMA中使用，明年年初將用于入門機。盡管IBM預計到2024年底將投入生產2納米技術，但不一定要在Power11上使用它，我們預計它將在成熟的5納米工藝上使用。

如果我們不得不猜測的話，IBM可能與三星一起使用2納米技術來制造Power12和z18。

IBM應該知道，因為GlobalFoundries在使用7納米EUV工藝時遇到的問題迫使他們停止了先進工藝的研發，這驅動IBM投入三星的懷抱，這也是他們唯一的選擇。

展望未來，IBM顯然將自己定位為幫助英特爾及其英特爾代工服務商的代工業務，我們高度懷疑“藍色巨人”將需要本機的第二代芯片制造來源，以便可以確保Power11和Power12芯片以及z17和z18芯片，或多或少按計劃在本十年末之前投放市場。這幾乎是任何人在IT業務中都能看到的。

本文整合自：摩爾芯聞、半導體行業觀察

責任編輯：符乾江