IBM宣布制造出全球首款以2nm工藝打造的半導體芯片。該芯片與目前主流的7nm工藝相比，在同等電力消耗下，性能提升45％、能耗降低75％。

據悉，本次IBM所采用的使GAA技術，也就是環繞柵極晶體管技術。根據IBM介紹，這是首次采用底介電隔離通道，可以使實現12nm的柵長，可以減少電流泄漏，有助于減少芯片上的功耗，其內部間隔是第二代干法設計，有助于納米片的開發。IBM芯片采用了三層GAA納米片，每片納米片寬40nm，高5nm，間距44nm，柵極長度12nm。

量產時間方面，根據臺積電的規劃，N2制程將于2025年量產。按照這個進度，英特爾或將在2nm工藝上實現對于臺積電的趕超。此前，英特爾已宣布將會在2024年量產Intel 20A工藝，隨后，英特爾又宣布其Intel 18A工藝也將提前到2024年量產。另外，根據臺積電最新展示技術路線圖顯示，在今年下半年臺積電第一代3nm（N3）工藝量產之后，除了將推出低成本、低能耗的N3E之外，還將會推出高性能版本的N3P，以及性能和功耗均更具優勢的N3X。

根據提供的數據來看，臺積電的5nm芯片每平方毫米約有1．73億個晶體管，三星的5nm芯片每平方毫米約有1．27億個晶體管，IBM 2nm晶體管密度達到了臺積電5nm的2倍，預計比臺積電3nm工藝的晶體管密度還要多。

其實，IBM在7nm和5nm領域都具備相當優勢的主導權，并均實現量產。不過IBM目前并沒有自主的晶圓廠，如果此款2nm工藝的芯片想要順利落地，也需要三星、Intel等代工廠的幫助。

本文整合自：OFweek、芯智訊

責任編輯：符乾江