2 納米成為半導體先進制程的決戰點，臺積電、三星、英特爾相繼喊出量產時程，也持續往再下世代的埃米 （angstorm） 時代布局，High-NA（高數值孔徑） EUV 則為延續摩爾定律的關鍵，臺積電除先前傳出取得 High-NA 研發型 EUV 曝光機外，也首度談及引進量產型機臺時程，持續掌握埃米時代話語權。

目前 ASML 推出的三代 EUV 曝光設備，生產芯片精度最多 2 納米，一旦進入 2 納米以下的埃米時代，就得以更高精準度曝光設備生產，透過最先進的 High-NA EUV 微影設備，才能推進半導體技術下個重大創新，成為先進制程決勝關鍵。

英特爾今年初宣布已率先向 ASML 購買業界首臺 High-NA 量產型 EUV 設備 EXE:5200，其為首款具備 High-NA 的 EUV 大量生產系統，每小時晶圓曝光產能超過 200 片，英特爾并宣布將于 2025 年開始以 High-NA EUV 進行生產。

由于英特爾為當時首家宣布取得 High-NA 量產型 EUV 設備的半導體廠，格外引發市場關注，甚至有研調機構分析師認為，若英特爾可搶先采用該設備，在摩爾定律競賽中，有機會超車臺積電。

不過，臺積電在日前的北美技術論壇上，首度談及引進相關設備時程，宣布將于 2024 年引入 EXE:5200，以滿足客戶需求并推動創新，但并未透露該設備大規模量產時間點，僅表示 2024 年還不準備用新的 High-NA EUV 設備生產，主要用于與合作伙伴的研究。

然而，在英特爾下訂業界首臺 High-NA 量產型 EUV 設備 EXE:5200 前，業界就傳出臺積電早已向 ASML 采購 High-NA 研發型 EUV 曝光機 EXE： 5000，除搶下大部分機臺外，相關設備今年就能開始供貨，且每小時生產的晶圓片數為 182 片，與量產型機臺差異不大。

也因此，業界認為，即便英特爾率先取得量產型機臺 EXE：5200，但對產能幫助可能有限，要在埃米時代拿下市場霸主地位，恐怕還是充滿挑戰。