隨著 ADAS 自動(dòng)駕駛系統(tǒng) L2 等級(jí)以上 HOD 法規(guī)的逐步落地，和整車廠對(duì)于 HOD 功能性需求的明確化，我們可以看到越來(lái)越多的整車廠對(duì)于電容式離手檢測(cè)方案在方向盤(pán)上進(jìn)行分區(qū)精確檢測(cè)的需要也逐漸增多。與此同時(shí)，在一些車型中，熱阻絲作為常規(guī)化多功能方向盤(pán)需求的一部分已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于方向盤(pán)結(jié)構(gòu)中。

AS8579 作為單芯片集成獨(dú)立 10 通道監(jiān)測(cè)端口的電容值相對(duì)量傳感器接口方案，以其獨(dú)特的技術(shù)原理 I/Q 相位調(diào)制方式實(shí)現(xiàn)了高靈敏度和快速數(shù)據(jù)讀取的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)用已有加熱阻絲作為檢測(cè)電容傳感器單元，不影響加熱功能的同時(shí)，在單芯片上實(shí)現(xiàn)方向盤(pán)多路分區(qū)控制采集的電容式 HOD 應(yīng)用，大大降低了方向盤(pán)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的復(fù)雜程度以及極大地優(yōu)化了系統(tǒng)成本。

應(yīng)用示例?復(fù)用加熱阻絲實(shí)現(xiàn)多路分區(qū)HO 設(shè)計(jì)

電路圖中每一組獨(dú)立分區(qū)利用 Mosfet 作為總線開(kāi)關(guān)，分別將電池輸入總線和GND 總線與熱阻絲兩端串聯(lián)。

利用 MCU 產(chǎn)生 PWM 方波控制 gate driver 實(shí)現(xiàn)高低邊 Mosfets 同步開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)控制。當(dāng)Mosfets 工作在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，Battery 電流導(dǎo)通流經(jīng)加熱阻絲進(jìn)行加熱，與此同時(shí) AS8579 關(guān)閉檢測(cè)接口。當(dāng) Mosfets 工作在關(guān)斷狀態(tài)，電池和 GND 總線均與加熱絲隔離。

與此同時(shí) AS8579 使能引腳檢測(cè)功能進(jìn)行 HOD 功能的電容感應(yīng)檢測(cè)。

AS8579 內(nèi)部可以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1khz 的完整信號(hào)吞吐率，電容信號(hào)檢測(cè)靈敏度最高可達(dá) 80fF/LSB。在不影響加熱功能和分時(shí)復(fù)用的情況仍然支持到系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)于的 HOD 報(bào)警信號(hào)可以滿足快速、準(zhǔn)確、切換實(shí)時(shí)性高的嚴(yán)格要求。

原文標(biāo)題：下載丨復(fù)用方向盤(pán)加熱絲實(shí)現(xiàn)多路分區(qū)HOD應(yīng)用指南

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