今天，我們將完成我們關于寬禁帶生態系統的第三部分系列文章。在第一部分，我們聚焦物理可擴展的模型，第二部分，我們重點介紹我們的碳化硅功率MOSFET模型的某些方面。在這博客系列的第三部分，我們將聚焦模型驗證。

圖1

我們首先在上面的圖1中顯示輸出電流-電壓特性。該模型準確地預測了整個偏置范圍，包括高門極處的漂移區和漏極偏差。右邊圖中精確的傳導仿真突出了模型的連續性，這對于強固的收斂性能非常重要。除了線性地發現隱藏的不準確和不連續之外，我們還常以對數標度觀察。

圖2

在圖2中，我們顯示了在寬溫度范圍內電流電壓、RDSon和閾值電壓的結果。SiC MOSFET器件由于其穩定的溫度性能而非常有吸引力。寬溫度范圍的高精度建模使設計師能夠充分利用這一品質。

圖3

在本系列博客的第一部分中，我們介紹了復雜器件電容的物理模型。結果如圖3所示。在左邊，CRSS（或CGD）仿真跟蹤超過兩個以上數量級數據的多重變化，只在一個對數標度上可見。

圖4

通過精確建模的固有電容和器件布板寄生值，就可以得出開關結果，如圖4所示，不需要額外的模型精調。這保真度水平使應用設計人員有信心精確仿真器件電路相互影響，如dV/dt、dI/dt、開關損耗和電磁干擾（EMI）。還可研究和優化門極驅動器和電源回路的相互作用。

滿足客戶多樣化的仿真平臺需求對我們很重要。因此，SPICE不可知論的方法至關重要。不可知論法意思是在行業標準仿真軟件中只使用最小公分母結構，避免依賴仿真器的專有方案。

審核編輯：郭婷