東微半導體怎么樣？我們一起來看看東微半導體所從事的主要業務、經營模式、及研發情況：

東微半導體成立于2008年，注冊資本5053萬元，是一家以高性能功率器件研發與銷售為 主的技術驅動型半導體企業，產品專注于工業及汽車相關等中大功率應用領域。

東微半導體是一家技術驅動型的半導體技術公司，在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累，專注半導體器件技術創新，擁有多項半導體器件核心專利。 2013年下半年，東微半導體原創的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發表，標志著國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破。新聞聯播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道，引起了國內外業界的高度關注。2016年東微半導體自主研發的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產，打破國外廠商壟斷。目前，東微半導體已成為國內高性能功率半導體領域的佼佼者，在新能源領域替代進口半導體產品邁出了堅實一步，產品進入多個國際一線客戶，并受到了客戶的一致好評。

在所處行業中東微半導體是一家以高性能功率器件研發與銷售為主的技術驅動型半導體企業，根據中國證監會《上市公司行業分類指引》（2012 年修訂），公司屬于“制造業”中的“計算機、通信和其他電子設備制造業”，行業代碼“C39”。 根據中華人民共和國國家統計局發布的《國民經濟行業分類（GB/T 4754-2017）》，公司所處行業為“計算機、通信和其他電子設備制造業” （C39），所處行業屬于半導體行業中的功率半導體細分領域。

東微半導體司是一家以高性能功率器件研發與銷售為主的技術驅動型半導體企業，產品專注于工業及汽車相關等中大功率應用領域。公司憑借優秀的半導體器件與工藝創新能力，集中優勢資源聚焦新型功率器件的開發，是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業級及汽車級領域的高壓超級結 MOSFET、中低壓功率器件等產品領域實現了國產化替代。此外，公司基于自主專利技術開發出 650V、1200V 及 1350V 等電壓平臺的多種 TGBT 器件，已批量進入光伏逆變、儲能、直流充電樁、電機驅動等應用領域的多個頭部客戶。

主要產品

公司的主要產品包括 GreenMOS 系列高壓超級結 MOSFET、SFGMOS 系列及 FSMOS 系列中低壓屏蔽柵 MOSFET、以及 TGBT 系列 IGBT 產品。公司的產品廣泛應用于以新能源汽車直流充電樁、車載充電機、5G 基站電源及通信電源、數據中心服務器電源、儲能和光伏逆變器、 UPS 電源和工業照明電源為代表的工業級應用領域，以及以 PC 電源、適配器、TV 電源板、手機快速充電器為代表的消費電子應用領域。公司上述產品的具體介紹如下：

公司上述產品的具體介紹如下：

（1）高壓超級結 MOSFET

公司的高壓超級結 MOSFET 產品主要為 GreenMOS 產品系列，全部采用超級結的技術原理，具有開關速度快、動態損耗低、可靠性高的特點及優勢。公司 GreenMOS 高壓超級結功率器件的各系列特點以及介紹如下表所示：

（2）中低壓屏蔽柵 MOSFET

公司的中低壓 MOSFET 產品均采用屏蔽柵結構，主要包括 SFGMOS 產品系列以及 FSMOS 產品系列。其中，公司的 SFGMOS 產品系列采用自對準屏蔽柵結構，兼備了傳統平面結構和屏蔽柵結構的優點，并具有更高的工藝穩定性、可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優點。公司 SFGMOS 系列中低壓功率器件產品涵蓋 25V-150V 工作電壓，可廣泛應用于電機驅動、同步整流等領域。

公司的 FSMOS 產品系列采用基于硅基工藝與電荷平衡原理的新型屏蔽柵結構，兼備普通 VDMOS 與分裂柵器件的優點，具有更高的工藝穩定性、可靠性、較低的導通電阻與器件的優值以及更高的應用效率與系統兼容性。

公司中低壓 MOSFET 功率器件各系列的具體介紹如下表所示：

（3）超級硅 MOSFET

公司的超級硅 MOSFET 產品是公司自主研發、性能對標氮化鎵功率器件產品的高性能硅基 MOSFET 產品。公司的超級硅 MOSFET 產品通過調整器件結構、優化制造工藝，突破了傳統硅基功率器件的速度瓶頸，在電源應用中達到了接近氮化鎵功率器件開關速度的水平。特別適用于各種高密度高效率電源，包括直流充電樁、通信電源、工業照明電源、快速充電器、模塊轉換器、快充超薄類 PC 適配器、TV 電源板等。

（4）TGBT

公司的 IGBT 產品采用具有獨立知識產權的 TGBT 器件結構，區別于國際主流 IGBT 技術的創新型器件技術，通過對器件結構的創新實現了關鍵技術參數的大幅優化，公司已有產品的工作電壓范圍覆蓋 600V-1350V，工作電流覆蓋 15A-120A。公司的 TGBT 系列 IGBT 功率器件已逐漸發展出低導通壓降、電機驅動、軟恢復二極管、逆導、高速和超高速等系列。其中，高速系列的開關頻率可達 100kHz；低導通壓降系列的導通壓降可降低至 1.5V 及以下；超低導通壓降系列的導通壓降可達 1.2V 以下；軟恢復二極管系列則適用于變頻電路及逆變電路；650V 及 1350V 的逆導系列在芯片內部集成了續流二極管，同時實現了低導通壓降與快速開關的特點，適合在高壓諧振電路中使用。

公司的 IGBT 產品在不提高制造難度的前提下提升了功率密度，優化了內部載流子分布，調整了電場與電荷的分布，同時優化了導通損耗與開關損耗，具有高功率密度、開關損耗低、可靠性高、自保護等特點，特別適用于直流充電樁、變頻器、儲能逆變器、UPS 電源、電機驅動、電焊機、光伏逆變器等領域。

主要經營模式

公司作為專業的半導體功率器件設計及研發企業，自成立以來始終采用 Fabless 的經營模式。Fabless 模式指無晶圓廠模式，采用該模式的企業專注于芯片的研發設計與銷售，將晶圓制造、封裝、測試等生產環節外包給第三方晶圓制造和封裝測試企業完成。

研發模式

公司產品的研發流程主要包括產品開發需求信息匯總、立項評估與可行性評估、項目設計開發、產品試制以及測試驗證等四個環節。該四項環節主要由研發部、運營部等合作完成，同時，研發部質量團隊會全程參與產品研發的所有環節，監督各環節的執行過程，以在全環節實現對產品質量的管控。公司已制定《產品開發管理程序》，產品研發流程嚴格遵守該制度約定流程，并通過產品生命周期管理系統進行產品開發管控。

公司根據各產品類型的市場需求與技術發展方向制定技術路線圖，并結合晶圓代工和封裝廠商的實際制造能力、現有工藝和封測加工能力進行產品開發和設計工作。在產品研發設計過程中，公司同時關注并協助開發適合于晶圓廠和封裝廠的工藝流程。同時，公司具有深度定制開發的能力。在產品研發階段，公司與晶圓代工廠深度合作、共同研發，通過多次反復實驗調整，使代工廠的工藝能更好地實現公司所設計芯片的性能，最終推出極具性價比的產品，更好地貼合終端客戶的需求。通過對代工廠傳統工藝的優化，公司有能力根據終端市場需求精確調整產品的設計。公司會與晶圓廠進行季度技術回顧與季度業務回顧，并陪同客戶定期到晶圓廠進行審核。同時，晶圓廠也會定期向公司提供制程能力管控數據及外觀檢測報告。同時，公司也會對封測廠進行定期稽核，召開 QBR 并要求提供 CPK 數據、封裝良率及測試良率的報告。公司也會定期對廠家的管控計劃提出意見，以保證產品質量。

采購與生產模式

公司采購的內容主要為定制化晶圓制造、封裝及測試服務，以及實驗室設備的采購。在 Fabless 模式中，公司主要進行功率器件產品的研發、銷售與質量管控，產品的生產采用委外加工的模式完成，即公司將自主研發設計的集成電路版圖交由晶圓廠進行晶圓制造，隨后將制造完成的晶圓交由封測廠進行封裝和測試。公司的晶圓代工廠商和封裝測試服務供應商均為行業知名企業。公司建立了以質量部為核心的質量管理體系，有效提高了公司產品和服務的整體質量。公司擁有研發部、運營部、銷售部等多個業務部門，且各部門職能相對獨立；同時，公司的質量部協助其他部門制定其操作規范、記錄和整理日常的工作文檔、監督和指導各部門的工作和質量控制流程，其貫穿產品開發、生產、運營和銷售的整個過程。

銷售模式

結合行業慣例和客戶需求情況，公司目前采用“經銷加直銷”的銷售模式，即公司通過經銷商銷售產品，也向終端系統廠商直接銷售產品。在經銷模式下，公司與經銷商的關系主要為買斷式銷售關系，公司將產品送至經銷商或者經銷商指定地點；在直銷模式下，公司直接將產品銷售給終端客戶，公司將產品送至客戶指定地點。

公司建立了完善的客戶管理制度，對于長期合作客戶，公司與其簽訂框架合作協議，并安排專員提供全方位服務；對于其他客戶，公司根據訂單向其供貨。半導體行業上下游之間粘性較強，公司產品需要通過較為嚴格的質量認證測試，一旦受到客戶的認可和規模化使用后，雙方將形成長期穩定的合作關系。

管理模式

自創立以來，公司匯聚了國內外優秀的技術和管理專家，積累了豐富的產品開發和營銷經驗，經過多年的摸索和融合，逐漸建立了符合自身發展的管理理念和管理體系。公司在日常管理中采用了關鍵績效指標管理和綜合評分制，會與每個員工明確各自的主要責任，并以此為基礎設立相應的業績衡量指標。從管理架構上，公司采取矩陣式管理。矩陣式管理既保持了產品開發及售后維護的專業性，不斷提高和積累技術能力，又能明確項目的責任人和各成員的分工和目標，以確保相應任務高質量完成。