IGBT是“InsulatedGateBipolarTransistor”的首字母縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。通過結合MOSFET和雙極晶體管，IGBT成為同時具備這兩種器件優點的功率晶體管。IGBT有N溝道型和P溝道型兩種，本文中以目前主流的N溝道型為例展開介紹。

N溝道IGBT的電路圖符號及其等效電路如下。有些等效電路圖會更詳細一些，但這里為了便于理解，給出的是相對簡單的示意圖。包括結構在內，實際的產品會更復雜一些。有關結構等的詳細內容將在后續文章中介紹。

IGBT具有柵極、集電極、發射極3個引腳。柵極與MOSFET相同，集電極和發射極與雙極晶體管相同。IGBT與MOSFET一樣通過電壓控制端口，在N溝道型的情況下，對于發射極而言，在柵極施加正電壓時，集電極-發射極導通，流過集電極電流。我們將另行介紹其工作和驅動方法。

前面已經介紹過，IGBT是結合了MOSFET和雙極晶體管優點的晶體管。MOSFET由于柵極是隔離的，因此具有輸入阻抗高、開關速度較快的優點，但缺點是在高電壓時導通電阻較高。雙極晶體管即使在高電壓條件下導通電阻也很低，但存在輸入阻抗低和開關速度慢的缺點。通過彌補這兩種器件各自的缺點，IGBT成為一種具有高輸入阻抗、高開關速度*、即使在高電壓條件下也能實現低導通電阻的晶體管。

*開關速度比MOSFET慢，但比雙極晶體管快。

IGBT和MOSFET等功率器件根據應用產品的使用條件和需求，物善其用，在與其相適合的應用中被區分使用，比如在高電壓應用中使用IGBT，在低電壓應用中則使用MOSFET。