一：芯片引腳示意圖

二： 對比差異

表1.AVP32F335與F28335的應用對比

三：AD部分的修改

AVP32F335 集成片內LDO,外部輸入1.8V（Min1.7V,Max1.9V）經LDO轉換成1.65V給內核供電，具體配置如下:

調整數字內核電壓【系統默認使能，不需要額外添加下述語句】

EALLOW;

*(Uint16*)0x7016=0x0004;

EDIS;

使能調整模擬電路電壓【建議在ADC初始化程序復位語句后面添加下述語句】

//使能并調整模擬內核電壓

AdcRegs.ADCTRL1.bit.rsvdl=0x000f;//1111

c. ADC的時鐘頻率建議設置在12.5Mhz以下（即采樣率不超過6.25MSPS），超過此采樣時鐘可能導致ADC采樣線性度變差

d.針對應用中ADC結果寄存器ADCRESULTn【0x7108-0x7117】和結果鏡像寄存器ADCRESULTn【0x0B00-0x0B0F】,其結果數據在AVP32F335中位置均為D15-D4,與在F28335使用的D11-D0順序一一對應

四：源碼燒錄方法

1.AVP32F335兼容F28335編譯工程環境，選擇CCS開發工具進行應用程序開發時，可參照F28335的開發方式創建工程、調試程序

2.和F28335不同，AVP32F335采用的獨立的FLASH IP,并提供對應的Flash API庫文件供Flash的 擦除、燒寫、校驗等操作，擦寫頻率建議設置在50MHz參考設置如下圖

3. Flash API替換文件的路徑參考如下

審核編輯：湯梓紅