在磁傳感器的發(fā)展歷程,從霍爾效應(yīng)的磁傳感器,到各向異性磁阻效應(yīng)的AMR磁傳感器,到基于巨磁電阻的GMR磁傳感器,再到基于隧道磁阻的TMR傳感器。在上一期中,單芯片的AMR傳感器呈現(xiàn)出了并不單一的AMR傳感特色,那么基于巨磁電阻的GMR傳感有哪些特點(diǎn)?
巨磁電阻是指磁性材料的電阻率在有外磁場(chǎng)作用時(shí)較之無外磁場(chǎng)作用時(shí)存在巨大變化的現(xiàn)象。巨磁阻是一種量子力學(xué)效應(yīng),它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。簡單來說,如果在某種條件下,物質(zhì)在磁場(chǎng)中電阻率減小的幅度非常大,就稱為巨磁阻效應(yīng)。
Infineon GMR
英飛凌在GMR、AMR、TMR技術(shù)上都有深厚的積累,旗下的XENSIVTM系列角度傳感器以集成磁阻(ixMR)技術(shù)著稱。在很多傳感器產(chǎn)品中,XENSIVTM系列應(yīng)用了不止一種磁阻技術(shù)。如果單摘GMR技術(shù)來看,英飛凌的iGMR傳感器非常適用于廣角范圍的應(yīng)用,不同級(jí)別的信號(hào)處理集成使設(shè)計(jì)者能夠優(yōu)化系統(tǒng)分區(qū),在BLDC電機(jī)或轉(zhuǎn)向傳感器上應(yīng)用廣泛。
TLE5011就是只是使用了GMR技術(shù)的角度傳感,通過測(cè)量帶有單片集成巨磁電阻(iGMR)元件的正弦和余弦角度分量來檢測(cè)磁場(chǎng)方向。TLE5011能覆蓋0-360°全角度,且磁場(chǎng)工作范圍極寬覆蓋30mT至50mT。
為了實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的測(cè)量,iGMR傳感配置了高精度單位SD-ADC,數(shù)據(jù)通信通過與SPI兼容的雙向同步串行通信(SSC)接口完成,ADC和過濾器通過SSC與外部命令同步,這個(gè)SSC接口是雙向的,且高達(dá)2 Mbit/s。在可靠性上也有保障,整個(gè)器件有著符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的閉鎖抗擾度,同時(shí)ESD>4kV。
在GMR與其他磁阻技術(shù)結(jié)合的產(chǎn)品中,英飛凌采用了創(chuàng)新的堆疊安裝技術(shù),傳感器系列的設(shè)備在標(biāo)準(zhǔn)且節(jié)省空間的TDSO封裝中結(jié)合了兩個(gè)獨(dú)立的傳感器,且厚度僅為1 mm左右。這種集成磁阻帶來了更均勻的磁場(chǎng),并且空間面積明顯更小。
AllegroGMR
Allegro的GMR傳感更提供比市面上產(chǎn)品更穩(wěn)健且更可靠的齒輪齒和環(huán)形磁體速度感應(yīng)。其一,Allegro的GMR傳感對(duì)系統(tǒng)的變化進(jìn)行動(dòng)態(tài)補(bǔ)償;其二,分立元件集成的模式消除了對(duì)外部 PCB 和元件的需求。
以A19250系列為例,作為一款巨磁阻GMR IC,其小型集成封裝包括集成在單個(gè)包覆成型封裝中的電容器和GMR IC,并附加模制引線穩(wěn)定桿。GMR技術(shù)在單個(gè)硅集成電路上集成了高靈敏度MR(磁阻)傳感器元件和高精度BiCMOS電路,提供高精度、低磁場(chǎng)操作。
Allegro的GMR技術(shù)采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的信號(hào)處理算法,能夠根據(jù)低電平差分磁信號(hào)進(jìn)行精準(zhǔn)切換。高靈敏度的GMR與差分傳感器相結(jié)合,對(duì)干擾共模磁場(chǎng)具有固有抑制功能,能夠?qū)崿F(xiàn)低抖動(dòng)和高間距精度。同時(shí)GMR傳感采用的SolidSpeed數(shù)字架構(gòu)支持高級(jí)數(shù)字處理,可以在出現(xiàn)極端系統(tǒng)級(jí)干擾的情況下提供高度精確的邊緣性能。
NVE GMR
作為一家專精于傳感的廠商,NVE是自旋電子傳感器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,與霍爾效應(yīng)或AMR等傳感器相比,NVE的GMR傳感器更小、更靈敏、更精確。
NVE的AA和AB系列模擬GMR傳感器靈敏度高、功耗低且體積小。這種優(yōu)秀的多功能性使其成為模擬傳感應(yīng)用里廣泛的選擇,從堅(jiān)固的工業(yè)和汽車位置、速度和電流傳感器到用于手持儀器的低電壓、電池供電傳感器,以及植入式醫(yī)療設(shè)備。
模擬GMR系列傳感器使用NVE的專利自旋電子材料提供方向敏感輸出。這些傳感器在IC平面的單一方向上是敏感的。模擬GMR系列提供全極性輸出,即沿靈敏度軸正向或負(fù)向磁場(chǎng)的相同輸出,為保證輸出的穩(wěn)定所有傳感器均采用溫度補(bǔ)償惠斯通電橋配置。該GMR傳感器具有高輸出信號(hào),易于與微控制器接口連接。該電路使用一個(gè)帶有8針ATtiny85 Trinket,這足以連接傳感器并提供數(shù)字和PWM輸出。當(dāng)然,這些合適的配置都是建立在NVE的標(biāo)準(zhǔn)化輸出GMR磁場(chǎng)傳感器具有獨(dú)特的感應(yīng)靜態(tài)磁場(chǎng)的能力上的。
小結(jié)
相比于AMR技術(shù)來說,做GMR的技術(shù)廠商不算多,和TMR一樣屬于玩家少技術(shù)性強(qiáng)的行業(yè)。巨磁效應(yīng)賦予了GMR傳感極高的靈敏度,而在高精度之外,各廠商在巨磁傳感上獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)則體現(xiàn)了每個(gè)GMR廠商的核心競(jìng)爭(zhēng)力。
巨磁電阻是指磁性材料的電阻率在有外磁場(chǎng)作用時(shí)較之無外磁場(chǎng)作用時(shí)存在巨大變化的現(xiàn)象。巨磁阻是一種量子力學(xué)效應(yīng),它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。簡單來說,如果在某種條件下,物質(zhì)在磁場(chǎng)中電阻率減小的幅度非常大,就稱為巨磁阻效應(yīng)。
Infineon GMR
英飛凌在GMR、AMR、TMR技術(shù)上都有深厚的積累,旗下的XENSIVTM系列角度傳感器以集成磁阻(ixMR)技術(shù)著稱。在很多傳感器產(chǎn)品中,XENSIVTM系列應(yīng)用了不止一種磁阻技術(shù)。如果單摘GMR技術(shù)來看,英飛凌的iGMR傳感器非常適用于廣角范圍的應(yīng)用,不同級(jí)別的信號(hào)處理集成使設(shè)計(jì)者能夠優(yōu)化系統(tǒng)分區(qū),在BLDC電機(jī)或轉(zhuǎn)向傳感器上應(yīng)用廣泛。

(圖源:英飛凌)
TLE5011就是只是使用了GMR技術(shù)的角度傳感,通過測(cè)量帶有單片集成巨磁電阻(iGMR)元件的正弦和余弦角度分量來檢測(cè)磁場(chǎng)方向。TLE5011能覆蓋0-360°全角度,且磁場(chǎng)工作范圍極寬覆蓋30mT至50mT。
為了實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的測(cè)量,iGMR傳感配置了高精度單位SD-ADC,數(shù)據(jù)通信通過與SPI兼容的雙向同步串行通信(SSC)接口完成,ADC和過濾器通過SSC與外部命令同步,這個(gè)SSC接口是雙向的,且高達(dá)2 Mbit/s。在可靠性上也有保障,整個(gè)器件有著符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的閉鎖抗擾度,同時(shí)ESD>4kV。
在GMR與其他磁阻技術(shù)結(jié)合的產(chǎn)品中,英飛凌采用了創(chuàng)新的堆疊安裝技術(shù),傳感器系列的設(shè)備在標(biāo)準(zhǔn)且節(jié)省空間的TDSO封裝中結(jié)合了兩個(gè)獨(dú)立的傳感器,且厚度僅為1 mm左右。這種集成磁阻帶來了更均勻的磁場(chǎng),并且空間面積明顯更小。
AllegroGMR
Allegro的GMR傳感更提供比市面上產(chǎn)品更穩(wěn)健且更可靠的齒輪齒和環(huán)形磁體速度感應(yīng)。其一,Allegro的GMR傳感對(duì)系統(tǒng)的變化進(jìn)行動(dòng)態(tài)補(bǔ)償;其二,分立元件集成的模式消除了對(duì)外部 PCB 和元件的需求。

(圖源:Allegro)
以A19250系列為例,作為一款巨磁阻GMR IC,其小型集成封裝包括集成在單個(gè)包覆成型封裝中的電容器和GMR IC,并附加模制引線穩(wěn)定桿。GMR技術(shù)在單個(gè)硅集成電路上集成了高靈敏度MR(磁阻)傳感器元件和高精度BiCMOS電路,提供高精度、低磁場(chǎng)操作。
Allegro的GMR技術(shù)采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的信號(hào)處理算法,能夠根據(jù)低電平差分磁信號(hào)進(jìn)行精準(zhǔn)切換。高靈敏度的GMR與差分傳感器相結(jié)合,對(duì)干擾共模磁場(chǎng)具有固有抑制功能,能夠?qū)崿F(xiàn)低抖動(dòng)和高間距精度。同時(shí)GMR傳感采用的SolidSpeed數(shù)字架構(gòu)支持高級(jí)數(shù)字處理,可以在出現(xiàn)極端系統(tǒng)級(jí)干擾的情況下提供高度精確的邊緣性能。
NVE GMR
作為一家專精于傳感的廠商,NVE是自旋電子傳感器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,與霍爾效應(yīng)或AMR等傳感器相比,NVE的GMR傳感器更小、更靈敏、更精確。

(圖源:NVE)
NVE的AA和AB系列模擬GMR傳感器靈敏度高、功耗低且體積小。這種優(yōu)秀的多功能性使其成為模擬傳感應(yīng)用里廣泛的選擇,從堅(jiān)固的工業(yè)和汽車位置、速度和電流傳感器到用于手持儀器的低電壓、電池供電傳感器,以及植入式醫(yī)療設(shè)備。
模擬GMR系列傳感器使用NVE的專利自旋電子材料提供方向敏感輸出。這些傳感器在IC平面的單一方向上是敏感的。模擬GMR系列提供全極性輸出,即沿靈敏度軸正向或負(fù)向磁場(chǎng)的相同輸出,為保證輸出的穩(wěn)定所有傳感器均采用溫度補(bǔ)償惠斯通電橋配置。該GMR傳感器具有高輸出信號(hào),易于與微控制器接口連接。該電路使用一個(gè)帶有8針ATtiny85 Trinket,這足以連接傳感器并提供數(shù)字和PWM輸出。當(dāng)然,這些合適的配置都是建立在NVE的標(biāo)準(zhǔn)化輸出GMR磁場(chǎng)傳感器具有獨(dú)特的感應(yīng)靜態(tài)磁場(chǎng)的能力上的。
小結(jié)
相比于AMR技術(shù)來說,做GMR的技術(shù)廠商不算多,和TMR一樣屬于玩家少技術(shù)性強(qiáng)的行業(yè)。巨磁效應(yīng)賦予了GMR傳感極高的靈敏度,而在高精度之外,各廠商在巨磁傳感上獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)則體現(xiàn)了每個(gè)GMR廠商的核心競(jìng)爭(zhēng)力。
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