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東芝推出新款I(lǐng)C芯片可為提升穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備續(xù)航能力開(kāi)辟道路

文傳商訊 ? 來(lái)源:文傳商訊 ? 作者:文傳商訊 ? 2022-01-16 10:12 ? 次閱讀
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已向市場(chǎng)推出了“TCK12xBG系列”負(fù)載開(kāi)關(guān)IC,其靜態(tài)電流[1]顯著降低,額定輸出電流為1A。這些新型IC采用小型WCSP4G封裝,將支持產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者研發(fā)創(chuàng)新功耗更低、續(xù)航更長(zhǎng)的新一代可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。產(chǎn)品今天開(kāi)始批量出貨。

TCK12xBG系列采用新驅(qū)動(dòng)電路,實(shí)現(xiàn)了0.08nA的典型導(dǎo)通靜態(tài)電流[1]。這比東芝目前的產(chǎn)品“TCK107AG”降低了99.9%,效率大幅提升,可大大延長(zhǎng)由小型電池供電的可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

WCSP4G是專為此產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的新封裝,比TCK107AG小34%左右,僅有0.645×0.645毫米,可以安裝在小型電路板上。它的背面涂層可減少安裝過(guò)程中對(duì)如此微小芯片造成的損傷。

東芝為該系列產(chǎn)品準(zhǔn)備了三種IC:在高電平有效時(shí)開(kāi)啟自動(dòng)放電的TCK127BG;在高電平有效時(shí)不開(kāi)啟自動(dòng)放電的TCK126BG;在低電平有效時(shí)開(kāi)啟自動(dòng)放電的TCK128BG。產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者和設(shè)計(jì)者可自由選擇最適合其設(shè)計(jì)要求的負(fù)載開(kāi)關(guān)IC。

東芝將繼續(xù)加強(qiáng)低靜態(tài)電流技術(shù)產(chǎn)品,為設(shè)備小型化和能耗降低以及可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)做出貢獻(xiàn)。

應(yīng)用

可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能手機(jī)傳感器電源開(kāi)關(guān)等)

替代由MOSFET晶體管等分立半導(dǎo)體組成的負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。

特性

超低靜態(tài)電流(導(dǎo)通狀態(tài))[1]:IQ=0.08nA(典型值)。

低待機(jī)電流(關(guān)閉狀態(tài)):IQ(OFF)+ISD(OFF)=13nA(典型值)

緊湊型WCSP4G封裝:0.645×0.645mm(典型值),厚度:0.465mm(最大值)

背面涂層可減少電路板安裝過(guò)程中的損壞

注釋:
[1] 在緊湊封裝尺寸為1mm2或更小、額定輸出電流為1A的負(fù)載開(kāi)關(guān)IC中。東芝調(diào)研,截至2022年1月。

主要規(guī)格

(除非另有說(shuō)明,否則@ Ta=25°C)

部件編號(hào)

TCK126BG

TCK127BG

TCK128BG

封裝

名稱

WCSP4G

尺寸典型值(mm)

0.645x0.645,

厚度:0.465(最大)

絕對(duì)

最大

額定值

輸入電壓VIN(V)

-0.3至6.0

控制電壓VCT(V)

-0.3至6.0

輸出電流IOUT(A)

直流

1.0

脈沖

2.0

功率耗散PD(W)

1.0

運(yùn)行

范圍

(@Ta_opr=

-40至85°C)

輸入電壓VIN(V)

1.0至5.5

輸出電流IOUT最大值(A)

1.0

電氣

特性

靜態(tài)電流(導(dǎo)通狀態(tài))

IQ典型值(nA)

@ VIN=5.5V

0.08

待機(jī)電流(關(guān)閉狀態(tài))

IQ(OFF)+ ISD(OFF)典型值 (nA)

@ VIN=5.5V

13

導(dǎo)通阻抗RON典型值(mΩ)

@VIN=5.0V, IOUT= -0.5A

46

@VIN=3.3V, IOUT= -0.5A

58

@VIN=1.8V, IOUT= -0.5A

106

@VIN=1.2V, IOUT= -0.2A

210

@VIN=1.0V, IOUT= -0.05A

343

交流

特性

VOUT上升時(shí)間 tr典型值(μs)

@VIN=3.3V

363

363

363

VOUT下降時(shí)間 tf典型值(μs)

125

32

32

導(dǎo)通延遲tON典型值(μs)

324

324

324

關(guān)斷延遲tOFF典型值(μs)

10

10

10

自動(dòng)放電功能

-

內(nèi)置

內(nèi)置

開(kāi)關(guān)控制邏輯

高電平有效

高電平有效

低電平有效

樣品測(cè)試和可用性

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