TPHR7404PU

做電源設計的工程師朋友都知道，MOSFET由于其快速開關，導通電壓低等特性，在電源設計中應用的非常廣泛。但是使用MOSFET時易出現的尖峰電壓會增加EMI（電磁干擾）的問題，這是讓萬千工程師們比較頭痛的一件事。如果電磁干擾非常嚴重的話，會導致產品的故障率直線上升，造成不可估量的損失。那么如何降低MOSFET的尖峰電壓呢？

東芝為了解決MOSFET引起尖峰電壓的問題，采用最新一代（數據截止于2021年1月）MOSFET制造工藝U-MOSIX-H，推出了一款低尖峰型MOSFET——TPHR7404PU。

一電氣特性分析

TPHR7404PU具有以下特點：

采用最新一代U-MOSIX-H制造工藝，具有低尖峰電壓特性，在降低電源EMI方面極具優勢；卓越的低導通電阻（數據截止于2021年1月，與具有相同最大額定值的產品相比），RDS（ON）＝0.74mΩ（最大值）@VGS＝10V；低柵極驅動電壓，最低以6V就可以驅動其正常工作；采用SOP Advance封裝，為小型化產品做足準備。

具體參數如下：

（除非另有規定，@Ta＝25℃）

二結構特性分析

TPHR7404PU采用東芝第9代U-MOSIX-H結構，是具有低壓溝槽結構的新型低尖峰電壓型MOSFET。第9代U-MOSIX-H系列可以提供一系列低尖峰型和高效型產品，其主要應用于各種電源（AC-DC和DC-DC電源）電路設計方案，同時也可以應用于電機控制設備或者是電機驅動等產品之中。

U-MOSIX-H主要優勢有以下兩點，第一，其導通電阻非常低，有助于降低電源的導通損耗，提高電源效率；第二，利用U-MOSIX-H工藝制造出的MOSFET能夠抑制開關操作中漏極和源極之間所產生的尖峰電壓，所以，非常適用于要求低EMI的開關電源二次同步整流，或者是重視EMI方面，需要降低EMI的各種電機驅動等產品。

三應用場景

TPHR7404PU由于其特殊的U-MOSIX-H結構，以及卓越的低導通電阻優勢，所以可以被應用于各種電源（高效AC-DC轉換器、高效DC-DC轉換器等）電機控制設備（電機驅動等）。

作為一家在半導體MOSFET應用方面深耕多年的全球科技型企業，東芝半導體憑借著對電子市場敏銳的洞察能力和不斷地創新的研發精神，持續向業界輸出高性能的MOSFET產品，這對于有降低EMI需求的電源與電機控制等設備的選型和參考都極具價值。

編輯：jq