MOS 管 DS 尖峰的產生是多重因素共同作用的結果，涉及電路寄生參數、開關速度、負載特性及驅動電路設計等關鍵環節。針對這一行業痛點，薩瑞微創新性推出 “低導通內阻（Rds (on)）+ 低反向傳輸電容（Crss）+ 低輸出電容（Coss）” 同步優化方案，實現效率提升與尖峰抑制的雙重突破。

01

核心參數優勢

Core parameter advantages

器件本身及 MOS 管周邊元件會隨電壓變化率（dv/dt）產生寄生電感。若電感值較大，MOS 管關斷時會在電感兩端產生高額壓降，疊加于漏極電壓形成峰值電壓；其中寄生源極電感（Ls）在關斷時還會產生反向峰值電壓，進一步放大尖峰幅度。

薩瑞微通過精準調控 Crss 與 Coss 參數，有效降低振蕩反饋，從源頭抑制尖峰產生。實測數據顯示，方案可顯著削減漏極電壓尖峰，提升電路工作穩定性（相關波形測試結果見原文附圖）。

02

效率與散熱性能提升

（輸入條件：Vin=90Vac/60Hz，輸出規格：20V/3.25A）

Improved efficiency and cooling performance

更低的 Rds (on) 帶來顯著性能優勢：相同功耗下器件溫升更低，不僅能降低熱應力對器件壽命的影響，減少高溫導致的參數漂移與失效風險，還可簡化散熱設計，大幅降低散熱片的體積與成本投入。（實測效率如圖）

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穩定的EMI性能

Stable EMI performance

傳統MOS

低Rds（on）+低Crss；Coss

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產品核心優勢

Product core advantages

1

低導通內阻設計：提升電路轉換效率，降低器件工作溫度，延長使用壽命，有效提升效率0.2%。

2

低寄生電容組合：有效減少 LC 振蕩，從根源抑制電壓尖峰，提升系統穩定性。

3

無額外 EMI 干擾：參數協同優化避免電磁兼容風險，無需額外增加濾波成本。

薩瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案，打破單一參數調控的行業局限，通過三者精準協同實現深度系統級優化，助力客戶在電路效率與電壓尖峰抑制之間達成更優工程平衡，為電源、逆變器等各類電力電子應用提供高可靠性解決方案。