關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢，SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務熱線400-888-2483。

SiTime MEMS技術給時鐘領域帶來了的革命性的變化，提供了比其它時鐘廠家更多的功能和更高的性能。 通過領先的MEMS技術結合先進的模擬電路設計技術，可編程SiTime全硅MEMS晶振可以更快、更靈活的滿足設計要求。

最廣泛的功能

客戶借助SiTime可編程晶振幾乎可以無限的對頻率，電壓、精度（PPM）、封裝等參數進行組合，使得系統的設計和性能都得到了進一步優化。

可定制的頻率：1Hz到650 MHz之間任意頻率，可精確到小數點后6位

電源電壓：1.8、2.5、2.8或3.3V（寬壓范圍2.25-3.63v）

頻率穩定度：±0.5、±1、±1.5、±2.5、±5、±10、±20、±25、±50ppm

擴頻功能：中心擴頻和向下擴頻的模式選擇

數字控制：數控制振蕩器（DCXO）抖動濾除和故障保護功能

頻率范圍可調：VCXO、DCXO、VCTCXO系列具有頻率可調功能， 頻率牽引范圍（±25ppm - ±1600ppm)

輸出驅動：可設置驅動能力的大小

封裝：行業標準2012、2016、2520、3225、5032、7050和超小型1508芯片級CSP封裝以及獨特的SOT23-5封裝

工作溫度范圍：商業級，工業級，汽車級以及航天或軍工級

輸出：輸出邏輯選項（單端TTL/COMS和差分LVDS/LVPECL）和輸出使能、擴頻、 關斷、休眠控制模式

提高系統性能

以MEMS為基礎的SiTime硅晶振，在系統運行的關鍵領域提供更高的性能.

良好的頻率溫度穩定性

SiTime提供0.1至5 ppm的頻率穩定度的TCXO（溫度補償振蕩器）和XO（單端振蕩器）。典型的石英振蕩器具有25至100ppm的穩定度。SiTime硅振蕩器內置溫度補償電路，使其在整個溫度范圍內，具有非常好的頻率穩定性。

低相位噪聲和抖動

SiTime硅晶振可以提供0.5PS（典型）和1 PS（最大）RMS相位抖動（12 kHz到20 MHz）。沒有其它的MEMS振蕩器能夠提供這種水平的性能。

卓越的可靠性

SiTime振蕩器是市場上最可靠的振蕩器。SiTime振蕩器的綜合性能是其他硅振蕩器的兩倍，是石英振蕩器的13至40倍。性能的可靠性，使得SiTime 振蕩器更適合用于惡劣的環境中。

關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢，SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務熱線400-888-2483。