在上一篇博文中,我討論了集成如何簡化了三線制模擬輸出設計。本文將介紹保護這些設計的方法,避免危險的工業(yè)瞬態(tài)過電引起電氣過載。
首先,我們通過幾個示例了解一下系統(tǒng)所面臨的風險:
一些系統(tǒng)安裝或校準于ESD不安全的環(huán)境中,可能會導致ESD損壞。
工業(yè)控制系統(tǒng)通常是跨距較遠的大型系統(tǒng),可能會遭受雷電電擊等自然風險。
開關瞬態(tài)過電與環(huán)境寄生效應結合后能夠產生高頻輻射和耦合發(fā)射。
需要保護模擬輸出的瞬態(tài)過電與其產生的低壓(<24V)和低頻率(<10kHz)信號差異巨大。工業(yè)瞬態(tài)過電為高壓(高達15kV)、高頻率(通常時間短于100ns)。您的電路應當利用這些差別提供保護,同時不影響模擬輸出的信號質量。
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減弱策略 l 此方法采用被動元件(電阻、電容、磁珠)減弱電壓突變幅度,限制電流 l 保護水平取決于預見輸入信號幅度、頻率和形狀的能力 l IR降會影響DC精度 l 電容過多會限制帶寬 |
分流策略 l 此方法使用電壓鉗位(TVS二極管、肖特基二極管) l 這些元器件鉗位輸入電壓,從集成電路中分流能量 l 不限制電流 l 寄生電容、漏電流與響應時間會增加設計的復雜程度 |
圖1.減弱與分流策略概覽
減弱和分流策略可用于解決工業(yè)瞬態(tài)過電的高頻和高壓問題。圖2為采用上述策略的保護電路,保護用于4-20mA電流回路應用的單通道、16位DAC8760。

圖2.保護電路示例
減弱策略采用對頻率作出響應的被動元件,如磁珠和電容,減弱高頻信號。圖2中,每個輸出端的100nF電容與瞬態(tài)過電發(fā)生器源阻抗相互作用,減弱高頻信號。
我在電路的每一級之間加入了串聯(lián)通路元件,限制鉗位到不同電壓電位節(jié)點之間的電流。我使用電阻作為電流輸出和電壓輸出內部節(jié)點的串聯(lián)通路元件。磁珠作為反饋回路外部電壓輸出電路的串聯(lián)通路元件,保持DC精度,限制高頻電流。
分流策略使用二極管將模擬信號鏈中的高壓信號分流出去。可以使用TVS二極管將能量導至大地或者使用肖特基二極管將能量導至供電軌。
如欲了解更多TVS二極管的相關信息,建議閱讀我的同事Art Kay的系列博文,其中解釋了多個關鍵參數并提供了選擇建議。
簡而言之,應當根據以下幾個方面選擇TVS二極管:
工作電壓:在不導通顯著電流的情況下,二極管所能承受的最大電壓。該電壓應當高到確保二極管不影響電路正常工作。
擊穿電壓:TVS開始導電的電壓。擊穿電壓應當低到保證瞬態(tài)過壓在供電軌的范圍之內。
額定功率:當二極管被擊穿時,二極管將產生較大的功率,需要確定相應的額定功率。
圖2還含有一個采用肖特基二極管的鉗位至軌級,幫助將瞬態(tài)過電保持在供電軌范圍之內,這樣做的原因有兩個:
TVS二極管的擊穿電壓很少能匹配供電配置。
隨著流過TVS電流的增加,其擊穿電壓也會增加。
肖特基二極管應當具有較低的正向電壓,甚至是在導通高電流時,保護電路中使用的二極管也要保持低正向電壓。
圖2中的電路針對TIPD153而開發(fā),為經過認證的TI精度設計,用于保護DAC8760進行IEC6100-4 標準測試。欲了解元件選擇、布局指南和IEC6100-4測試結果的更多信息,請下載參考設計指南。
審核編輯:何安
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