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升降壓超級電容充電方案分享

電子設計 ? 來源:電子設計 ? 作者:電子設計 ? 2022-01-13 16:03 ? 次閱讀
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Other Parts Discussed in Post: BQ25703A

TI shanghai FAE: Eric Xiong

超級電容由于其充電次數,更好的瞬態性能,更簡單的充電管理以及更少的環境污染,在很多應用中越來越受歡迎。多個電容單體(2.7V)串聯往往需要buck-boost充電拓撲來實現電源的充電管理。BQ25703A是一種集快速充電、電源路徑管理、保護功能于一體的單芯片方案。本文討論了在實際應用中的一些注意事項。

1. 典型充電電路和充電曲線:

poYBAGGKSx2AKNa3AAE7hE9YQ_U958.png

圖1 典型應用電路

pYYBAGGKSx6AWmfmAAGvn-ZEPVM653.png

圖2 典型的充電曲線

pYYBAGGKSx-AR63XAAGH_9x-3lM593.png

圖3 配置和軟件設置

2. 加速充電過程

鋰電池的預充電過程不同,超級電容可以直接快速充電,從而減少充電時間,可以采取如下兩種方式來減小芯片自帶的預充過程,

使用更低的檢流電阻Rsr=2mOhm.

默認是10 mOhm,相當于提升5倍的預充電流。

poYBAGGKSyGARJj2AAFQVPQWSS8897.png

圖 4 20s 快速充電充滿

2去使能LDO 模式

為了保證芯片的最小工作電壓,在預充過程充,BATFET處于LDO模式下,采用旁路模式也能加快充電速度,但會犧牲一部分系統電壓范圍。

pYYBAGGKSyOABoFdAACkNmpNXOI338.png

圖 5 LDO 使能模式

poYBAGGKSyWALPY9AACgzH_Aas4744.png

圖6 LDO旁路模式

3. 兼容0.5A小電流USB輸入

當輸入電源的電流能力有限,而充電電流很高時會有拉低輸入電壓的風險,需要動態的配置充電電流,防止系統電壓過低導致的系統崩潰。BQ25703A的DPM模式能靈活地設置輸入功率限制,動態地的分配實時的充電電流,保證輸入電壓恒定。

pYYBAGGKSyaAEo_CAAD6yQOExcw194.png

圖 7 無DPM模式

poYBAGGKSyiAVnbkAADUSLkUxcs552.png

圖8 DPM模式

4. 被動均衡功能

為了防止單體過充或者欠充,需要加入主動或者被動均衡,在保證功耗的基礎上,被動均衡的電路簡單,成本更低。

pYYBAGGKSyqAKeWrAABUV2KXzyg980.png

poYBAGGKSyyAVEGoAAEWXKKprk8126.png

圖9 電阻被動均衡

5. 硬件過充保護

當軟件崩潰或者程序錯誤設置時,需要硬件的保護來防止電壓過沖而引起的危險。使用內部比較器并結合芯片本身的HIZ模式可以強制保護充電電壓低于設置的安全門限值。

poYBAGGKSy2AeVs7AAHzZPQdAdI059.png

6. 綜述

綜上,BQ25703A可以作為多節的超級電容的升降壓充電方案,自帶power path 功能和DPM功能,軟件配置靈活,硬件保護功能齊全。

審核編輯:金巧

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