在上篇中，我們探討了三星以NAND閃存技術為基礎，推動了存儲介質從HDD到SSD模式的轉變。

今天，我們就來了解一下，三星SSD核心部件的技術自主化研發歷程，以及三星SSD產品的迭代與創新。

憑借SSD技術的自主化和創新

三星深受SSD市場青睞！

SSD 由 NAND 閃存、DRAM、控制器硬件和驅動該設備的固件（Firmware）組成。如果說，NAND閃存是存放書籍的“圖書館”，那么控制器就是整理書籍的“圖書管理員”。

換句話說，NAND閃存通過提高數據集成度來增加SSD的容量，而控制器則是利用控制接口和內存之間的數據傳輸，并決定讀取和寫入順序，以此提高SSD性能。 通過不斷創新，三星實現了NAND閃存、控制器、固件等SSD核心部件的技術自主化。

在三星SSD商用化進程中，NAND 閃存的創新發揮了重要作用。2006年，三星研發出了可以突破浮柵（Floating Gate）技術局限的CTF（電荷擷取閃存，Charge Trap Flash） NAND技術，為SSD的發展帶來重大成功。基于這項技術，三星將40nm 32Gb NAND閃存應用于SSD，并實現了產品的商用化。

在NAND閃存發展早期，三星就已經開始關注并堅信其即將打開新的應用領域。三星還曾預測，在2010年以后，SSD將超越GB（千兆字節，Gigabyte）時代，TB（太字節，Terabyte）的超容量半導體技術將成為可能。 現在，這種預測已經成為了現實。2010年，三星正式啟動了消費級SSD業務。

2011年，推出了20納米級高速NAND閃存，以及搭載了專用控制器的SSD 830系列產品。并于2012年推出了采用3bit MLC（TLC，TripleLevel Cell）NAND閃存的SSD 840系列產品，打破了過去認為“采用3bit MLC NAND閃存的SSD無法實現高性能、高可靠性運行”的觀念。 2013年，三星開始量產3D V-NAND閃存，再一次突破了微技術的瓶頸。且實現了三維集成技術商用化。基于這項技術，三星開始不斷拓展大容量SSD市場，并于2014年推出了搭載3D V-NAND的SSD 850系列產品，從此消費級市場也開始轉向以V-NAND為基礎的產品。

2013年，三星開始量產企業數據中心級1TB SSD，2016年推出15.36TB SSD，并于2018年推出企業數據中心級30.72TB SSD。自2006年32GB SSD亮相以來，僅僅經過12年時間，三星就將其存儲容量增加了1000倍，開啟了超高容量半導體時代。 目前，三星依然在閃存技術領域和SSD市場上進行創新，不斷制造更多新驚喜，讓我們一起繼續期待吧。

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