據麥姆斯咨詢報道，近日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱：賽微電子）舉行投資者關系活動，賽萊克斯北京首席科學家：陸原博士，公司董事、副總經理、董事會秘書：張阿斌，公司證券事務助理：劉妍君參與接待與交流。

第一部分：上市公司帶領參觀北京MEMS產線基地；

上市公司介紹了賽微電子的發展歷程以及最新動態，近年來，面向萬物互聯與人工智能時代，賽微電子已形成以半導體為核心的業務格局，MEMS、GaN成為公司前瞻性布局、分處不同發展階段、聚焦發展的戰略性業務。與此同時，公司圍繞相關產業開展投資活動，服務主業。

基于業界頂級專家工程師團隊、所掌握的成熟工藝以及持續擴張的MEMS領域先進的8英寸產能，賽微電子積極把握市場需求，為全球客戶提供高標準的MEMS芯片工藝開發及晶圓制造服務；

同時基于業界頂級技術團隊及優異的產品性能，積極快速地布局GaN產業鏈，面向新型電源、智能家電、通訊設備、數據中心等領域提供GaN（氮化鎵）外延材料、GaN器件及配套應用方案。賽微電子執行長期發展戰略，致力于成為一家立足本土、國際化發展的知名半導體科技企業集團。

第二部分： 上市公司解答提問， 主要提問及解答如下：

1、請問賽微電子的瑞典MEMS產線目前的產能情況？

答：自并購完成后公司便積極支持瑞典產線升級及持續擴產。瑞典產線在2017-2020年進行了超過3億元人民幣的資本投入，2020年9月，瑞典原有6英寸產線（FAB1）升級切換成8英寸產線，原有8英寸產線（FAB2）亦已完成擴產，合計MEMS晶圓產能提升至7000片/月的水平，產能在2019年末的基礎上繼續提升了30%，且目前因重點客戶需求仍在持續進行資本投入。

2、請問賽微電子的瑞典產線的產能利用率和良率情況如何？未來是否有提升空間？

答：由于不同產品的高度差異化、定制化以及工藝復雜、代工難度較高，規模效應的發揮需要一定的過程，MEMS芯片代工制造的產能利用率和良率一般低于傳統IC制造的水平，就目前情況來看，瑞典產線80+%的產能利用率以及70+%的良率已屬于業內領先水平，由于瑞典產線近年來進行了大規模的升級擴產，在此狀態下的產線潛力尚未完全發揮，隨著大規模升級擴產工作的完成，生產逐步穩定，瑞典產線的產能利用率及良率在未來仍有繼續提升的空間。

3、請問賽微電子預計何時可以取得瑞典ISP的許可結果？

答：公司瑞典子公司Silex自2020年11月向瑞典ISP（戰略產品檢驗局）提交許可申請后持續跟蹤動態，此前預計可以在今年5月底前取得最終結果，但該時間屬于公司當地顧問所提供的參考預計時間，并非瑞典ISP承諾的辦理完結時間，公司希望能夠盡快取得是否授予許可的最終結果，但目前仍需要繼續等待瑞典ISP的通知，由于是一國政府部門行為，需以其最終正式通知為準。

公司北京FAB3與瑞典FAB1&2的技術與人員交流已進行數年，FAB3自身也早已組建國際化工藝及制造工程師團隊、投入大量工藝技術研發、并積極與戰略客戶開展技術合作，持續沉淀自主專利及工藝技術，FAB3的生產運營不以瑞典ISP的許可為前提條件，但FAB1&2畢竟擁有20年的實踐積淀，該許可若通過則將為FAB3更好更快地運營帶來諸多有利因素。

4、請問賽微電子的北京MEMS產線目前的客戶合作情況？以及瑞典MEMS 產線目前的客戶主要包括哪些？

答：2020年9月底，公司北京MEMS產線建成并達到投產條件，此后，北京MEMS產線結合內部驗證批晶圓的制造情況，持續調整優化產線，與客戶開展產品驗證，并繼續做好人員、技術、工藝、生產、保障等各方面的工作。自開始建設起，公司北京MEMS產線便與瑞典產線以及國內潛在合作客戶開展技術與產品的預熱交流。

2021年6月10日，北京MEMS產線代工的首批MEMS麥克風芯片通過客戶通用微（深圳）科技有限公司（GMEMS）的認證，正式啟動量產。此外，公司北京MEMS產線自建成通線以來積極與通信、消費電子、工業汽車、生物醫療等領域客戶溝通具體需求、合作協議并推進工藝及晶圓驗證，且已經與部分客戶簽署并逐步開始履行商業合同，因涉及商業機密及保密義務， 部分客戶的具體信息公司不便告知。

瑞典MEMS產線客戶主要包括通訊、生物醫療、工業汽車和消費電子四大領域。根據過去幾年的業務數據，各領域的需求均在增長，但不同業務領域在不同時期可能會產生一些明顯的波動因素，比如去年以來在全球范圍內爆發的COVID-19疫情，就顯著刺激了下游生物醫療客戶的MEMS工藝開發及晶圓制造需求。

由于公司過去幾年的產能有限，因此公司的收入與訂單結構并不能完全、準確地反映市場需求。但總體來說各領域的需求均在增長，靜態看生物醫療、通訊領域的需求增長表現得更為明顯，動態看我們看好各領域的未來需求。

5、請介紹賽微電子的北京MEMS代工產線的目前的產能情況，以及未來的產能計劃？

答：公司北京MEMS產線的建設總產能為3萬片/月，目前一期產能1萬片/月已建成，2020年Q4內部調試，今年Q1開始晶圓驗證，今年6月10日實現正式生產，今年下半年預計實現50%的產能，即月產5000片晶圓，2022年實現一期100%的產能，即月產10，000片晶圓；

2023年實現月產1.5萬片晶圓，2024年實現月產2萬片晶圓，2025年實現月產2.5萬片晶圓，2026年實現月產3萬片晶圓。隨著北京產線工藝制造水平的逐漸成熟，若訂單及客戶需求的增長超出預期，則上述自2022年起的產能爬坡進度有可能加快。

6、請問賽微電子在氮化鎵（GaN）業務方面的產能情況如何？氮化鎵業務的整體布局是如何考慮的？

答：在GaN外延片方面，公司已建成的6-8英寸GaN外延材料制造項目（一期）的產能為1萬片/年，目前已簽訂千萬級銷售合同并根據商業條款安排生產及交付。在GaN器件設計方面，產能主要受到供應方制造商產能的限制，目前在技術、應用及需求方面是沒問題的，關鍵在產能供應端受限，在這方面公司也已對外簽訂了批量流片合同，努力緩解產能瓶頸問題。

另一方面，公司GaN業務子公司聚能創芯參股投資設立青州聚能國際半導體制造有限公司，目標是在2021年內建成GaN產線并做好投產準備，以盡快推動產能建設，完善IDM布局，進一步形成自主可控、全本土化、可持續拓展的GaN材料、設計及制造能力。

7、請問賽微電子MEMS業務是否包括MEMS光學器件產品？以及公司如何看待該領域的未來發展？

答：賽微電子是一家擁有深厚技術積淀、服務能力全面的專業MEMS代工廠商，目前在瑞典斯德哥爾摩及中國北京均擁有8英寸MEMS代工產線。公司北京產線近日剛剛實現正式生產，但瑞典產線最早建立于2000年，掌握了硅通孔、晶圓鍵合、深反應離子刻蝕等多項在業內具備國際領先競爭力的工藝技術和工藝模塊。

擁有目前業界最先進的硅通孔絕緣層工藝平臺（TSI），已有超過10年的量產歷史、生產過超過數十萬片晶圓、100多種不同的產品，技術可以推廣移植到2.5D和3D圓片級先進封裝平臺；為全球廠商提供過400余項 MEMS 芯片的工藝開發服務，為全球客戶代工生產了包括微鏡、微針、硅光子、芯片實驗室、微熱輻射計、振蕩器、原子鐘、超聲、壓力傳感器、加速度計、陀螺儀、硅麥克風、光學器件等在內的多種MEMS產品。

MEMS是微電路和微機械按功能要求在芯片上的一種集成，基于光刻、腐蝕等傳統半導體技術，融入超精密機械加工，并結合力學、化學、光學等學科和技術，使得一個毫米或微米級的MEMS具備精確而完整的機械、化學、光學等特性結構。MOEMS（微光機電系統）結合了微機械與微光學，拓展了MEMS在光學領域的應用，MOEMS通常包含一個以上微機械元件，其有望在光通信、光顯示、數據存儲、自適應光學及光學傳感等多領域得到廣泛應用。

光學器件是公司MEMS業務持續服務的領域，包括基于MEMS工藝結構的微鏡、硅光子器件、光通信開關、光刻機透鏡系統、固態激光雷達反射鏡等，不同類別產品的工藝開發及晶圓制造技術難度、應用及發展階段存在較大差異，但公司看好該等MEMS光學器件在未來的應用及發展前景。

8、請問賽微電子如何看待MEMS先進封裝技術的發展趨勢？公司在這方面有何技術儲備及方向？

答：MEMS封裝不同于IC封裝，在考慮封裝尺寸、性能、可靠性、成本的同時，還需要重視力學支撐、環境隔離、與外界環境的交互接口、應力、隔離度、特殊信號引出、微結構失效等因素。因此，MEMS封裝工藝比IC封裝更復雜，并呈現多樣化特征，封裝成本占比相對更高。

先進封裝技術通過堆疊單芯片與其他元件并封裝在一個外殼里，可實現半導體、MEMS和其他元器件的三維異質/異構集成，一方面能夠減少封裝面積，縮短MEMS與其他芯片之間的信號傳輸損耗，提高MEMS器件的整體性能，另一方面能夠提高封裝效率，降低產品成本。先進封裝技術包括系統級封裝（SIP）、晶圓級封裝（WLP）、硅通孔（TSV）、三維芯片堆疊、2.5D 硅轉接板等。

公司在MEMS先進封裝方面擬推進研發分立器件的系統級集成封裝技術、多樣化TSV技術、扇出型晶圓級集成技術、多個異質晶圓永久鍵合技術等多種晶圓級異質異構集成封裝技術。

9、請賽微電子簡要介紹“MEMS高頻通信器件制造工藝開發項目”中投入研發的微空腔同軸結構技術以及晶圓級異質異構集成技術。

答：微空腔同軸結構技術是指在一個晶圓襯底上，用MEMS工藝方法，制造具有高傳輸頻率、低傳輸損耗、具有微小尺度的電連接同軸傳輸線技術;該同軸傳輸線通過空氣實現絕緣隔離。該技術的目標是探索如何實現超厚銅柱電鍍、絕緣材料的多次光刻等形成微空腔同軸傳輸結構; 并研發基于微同軸的高頻器件晶圓級集成，可用于制造微天線/陣列天線、功分器、射頻微波前端模塊等。

晶圓級異質異構集成是指，對包含多個功能單元的一個半導體器件（其結構可不一樣，或襯底材質不一樣，或襯底材質和結構都不一樣），在其整個制造過程（含芯片制造、集成多個芯片/功能單元、封裝測試環節）中，都在晶圓狀態下完成的制造技術。該技術的目標是實現高頻器件的晶圓級集成，控制高頻傳輸的損耗與電磁噪音，實現不同襯底器件的晶圓鍵合，該技術既適用于IC器件制造，也適用于射頻微波模塊器件的制造以及高頻模塊器件的晶圓級電測等。

編輯：jq