近期，科技部官網(wǎng)顯示，在國家重點研發(fā)計劃“納米科技”重點專項的支持下，中國科學院物理研究所研究團隊成功構建了尺寸小于1納米、由單個分子構成的晶體管器件，并實現(xiàn)了功能調(diào)控。利用可控燒蝕電極的方法構造納米金屬電極對，把單個酞菁錳分子嵌入其中。同時，利用門電極對其中的多個分子軌道能量進行靜電調(diào)控，最終首次在實驗上實現(xiàn)了二階近藤效應的演化方式，驗證了數(shù)字重正化群計算方法中預言的線性關系，并利用這一關系獲得該類分子器件中兩個電子的交換相互作用的類型和大小。研究發(fā)現(xiàn)，器件的電子傳輸行為受器件內(nèi)外電子的多體量子關聯(lián)效應和分子內(nèi)部有效交換作用雙重調(diào)控影響。

據(jù)悉，該項研究成果為未來亞納米器件功能原理探索拓展了思路，證明了亞納米信息器件中，信息的傳輸行為有不同的可能性和豐富的潛在功能，為強關聯(lián)物理現(xiàn)象（非常規(guī)超導、量子臨界等）的研究提供了新的平臺。

隨著摩爾定律的不斷延伸，芯片制程能否由納米進入亞納米是如今人們關注的重點。如今，單分子晶體管器件研究取得重要進展，也為芯片制程走向亞納米提供了更多可行性。然而，也有聲音稱，由于傳統(tǒng)的硅基晶體管的尺寸已達到瓶頸，為進一步減小晶體管尺寸，基于單個有機分子來替代硅作為晶體管材料，成為電子器件微型化潛在技術方案，因此在未來亞納米芯片的發(fā)展中，傳統(tǒng)硅基器件或將退出歷史舞臺。

北京工業(yè)大學微電子學院教授馮士維認為，目前，針對單分子晶體管器件的研究還處于非常基礎的階段，技術需要更多時間來進行完善。在未來進入亞納米之后的高性能微電子芯片技術中，硅基器件的發(fā)展也異常關鍵，仍需要在硅基器件方面尋求更多突破。與此同時，硅基器件的發(fā)展并非已經(jīng)到達瓶頸，在3D集成等方面，仍有較大發(fā)展的空間，這同時也是如今芯片技術爭相競速的焦點，在未來芯片進入亞納米級后也同樣如是。

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