3月17,由森蔚汽車聯(lián)合國內(nèi)40+主機廠共同組織的“2021中國汽車芯片開發(fā)與應用創(chuàng)新技術論壇”在上海舉辦,旨在共同探討汽車芯片技術發(fā)展趨勢、智能駕駛與驅動系統(tǒng)芯片的關鍵應用技術、國產(chǎn)化芯片開發(fā)技術路線等相關內(nèi)容,進一步推動行業(yè)的發(fā)展。 比亞迪半導體股份有限公司受邀參加了該汽車芯片技術論壇。公司高級研發(fā)經(jīng)理吳海平在本次論壇上做了題為“新能源汽車功率器件的發(fā)展與應用”技術演講,從新能源功率器件的需求情況、車規(guī)級功率半導體的市場布局和技術發(fā)展著手,多維度探討IGBT芯片、SiC模塊、功率模塊的技術發(fā)展。
吳海平先生提到,新能源汽車的發(fā)展給功率芯片帶來更嚴格的挑戰(zhàn),意味著更低的損耗和成本,更高的集成度、工作結溫和可靠性。同時,更薄的晶圓厚度、精細化、RC IGBT、集成化也成為了IGBT芯片的技術趨勢。比亞迪電驅功率模塊技術從間接水冷發(fā)展到現(xiàn)在的SiC MOS 雙面水冷、超聲波焊接、納米銀燒結技術,使得SiC MOS在新能源汽車電機驅動上帶來明顯的效率提升,電機驅動控制器體積減小60%以上。演講現(xiàn)場氛圍熱烈,與會人員紛紛給予掌聲。
新能源汽車的核心元件IGBT芯片約占電機驅動系統(tǒng)成本的一半,是除電池之外成本第二高的元件,決定了整車的能源效率。比亞迪半導體2009 年推出國內(nèi)首款自主研發(fā)的 IGBT 芯片,2018 年推出 IGBT4.0 芯片,后續(xù)還將推出更高性能的IGBT芯片。經(jīng)過多年的發(fā)展,比亞迪半導體已擁有國內(nèi)領先的功率芯片設計經(jīng)驗,成熟的晶圓制造工藝、功率模塊生產(chǎn)能力、獨有的測試條件以及應用平臺,擁有國內(nèi)領先的IDM功率半導體產(chǎn)業(yè)。截止2020年12月,以IGBT為主的車規(guī)級功率器件累計裝車超過100萬輛,單車行駛里程超過100萬公里。
作為新能源汽車下一代功率半導體器件核心,SiC MOSFET可使得電機驅動控制器體積減小60%以上,整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升10%。 2020年7月,比亞迪半導體自主研發(fā)的SiC功率模塊全面應用于比亞迪全新旗艦豪華轎車“漢”,是國內(nèi)首款批量搭載SiC功率模塊的車型。SiC電控的綜合效率高達97%以上,使整車的動力性、經(jīng)濟性表現(xiàn)非常出眾。 未來比亞迪功率半導體產(chǎn)業(yè),將不斷優(yōu)化提升IGBT及SiC模塊性能表現(xiàn),往高效率、高集成、高可靠性方向快速發(fā)展。
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原文標題:大咖云集,解密汽車芯片核心密碼!比亞迪半導體出席2021汽車芯片技術論壇
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