它會清除任何真正不善于處理模擬電路分析的人。

我看到這個電路時拿筆計算，好吧，我算錯了。。。

電路圖：有兩個晶體管(transistor)，一個NPN和一個PNP，連接方式如圖1所示。

圖1 “除草機”電路圖

如果此晶體管是硅(Si)，并顯示0.6V，基極至發射極電壓，且兩個晶體管的?值非常高，使得Ib幾乎為零。

圖2 分析的第一步

對于NPN基本上為零的Ib，R1和R2的電壓在NPN的基礎上將+12V導通電壓分壓為+4V。這個地方很好理解；當Vbe為0.6V時，NPN發射極為+3.4V，在R3中流過的電流為3.4mA。 分析的難點是NPN發射器和R5如何共享3.4mA電流？

圖3 分析的第二步

PNP的Vbe=0.6V，如此使得R4中的電流為0.06mA。在PNP基極電流幾乎為零的情況下，由于NPN的?值非常高，0.06mA成為NPN的集電極(collector)電流，也變成NPN的發射極電流。 流過R5的電流必須是R3的3.4mA電流和NPN發射極的0.06 mA電流之間的差值。該值為3.4-0.06=3.34mA。

圖4 分析的第三步

R5上的電壓降為3.34V，當加到R3頂端的3.4V時，將R5和PNP集電極的頂端放在+ 6.74V。 為了證明分析的結果，也為了有更加透徹的理解，我們用multisum仿真看一下，我分別在關鍵處并聯了電壓表和串聯了電流表，但是實際看到是和上面的理論分析有差別的，這其實是萬用表設置了內阻； NPN三極管用的是PN2222，PNP用的是2N2904；

圖5 仿真圖

圖6仿真結果

（仿真元器件把萬用表的內阻考慮進去了）

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