快充專用60V低壓mos 40A封裝DFN3*3低結(jié)電容低Qg
★MOS管主要參數(shù)★
MOS管型號(hào)：HG5511D
參數(shù)：60V 40A
封裝：DFN3333
內(nèi)阻：11mR(Vgs=10V)14mR(Vgs=4.5V)
結(jié)電容：550pF
開啟電壓：1.8V
應(yīng)用領(lǐng)域：車燈照明、車載電子、電動(dòng)車應(yīng)用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽(yáng)能源、舞臺(tái)燈照明、加濕器、美容儀等電壓開關(guān)應(yīng)用。
【高頻率 大電流 SGT工藝 開關(guān)損耗小】
fqj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電容
+關(guān)注
關(guān)注
100文章
6484瀏覽量
159313 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
111文章
2786瀏覽量
76885 -
電壓
+關(guān)注
關(guān)注
45文章
5773瀏覽量
121819
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
緊湊高壓驅(qū)動(dòng)方案：SiLM2026EN-DG以DFN3×3小封裝實(shí)現(xiàn)200V半橋可靠驅(qū)動(dòng)
SiLM2026EN-DG是一款面向高壓緊湊型應(yīng)用的半橋門極驅(qū)動(dòng)器，采用超小型的DFN3×3-8封裝。它支持最高200V的母線電壓，驅(qū)動(dòng)電源范圍為10
發(fā)表于 02-07 08:39
HCC3P04(-40V-3A)燈具電源P溝道MOS管
單元，助力設(shè)備延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間。二、方案應(yīng)用：惠海半導(dǎo)體HCC3P04(-40V-3A)具有導(dǎo)通損耗低、開關(guān)響應(yīng)快、電流承載能力強(qiáng)、耐壓與可靠性優(yōu)、集成高、低成本優(yōu)勢(shì)、低功耗適配性佳等特點(diǎn)
發(fā)表于 01-19 15:48
60V耐壓3A快充穩(wěn)壓方案H6621B DCDC實(shí)地降壓IC5V2A 5V3A 12V2A 5V5A
限流保護(hù)和過溫保護(hù)。
H6621B最大限度地減少了現(xiàn)有外部元器件的使用數(shù)量。H6621B采用ESOP-8 封裝。
產(chǎn)品特征
? 0.8Ω內(nèi)部功率MOS
? 持續(xù)輸出最大電流0.85A
?
?
550
過
發(fā)表于 01-10 14:11
5N10MOS管-HG160N10LS 絲印HG510 100VMOS管 60VMOS管 80V-N通道場(chǎng)效應(yīng)管 惠海原廠直銷 性價(jià)比高
】??內(nèi)阻低至1mΩ?（具體型號(hào)支持定制），導(dǎo)通損耗降低40%以上，大幅減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)整體效率！?支持持續(xù)大電流?，滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源逆變等大功率需求。
?【快速開關(guān)，高頻率】??結(jié)電容
發(fā)表于 12-27 11:29
中科微電ZK60N04NF：DFN封裝加持的中低壓功率控制核心
在中低壓功率電子系統(tǒng)中，MOS管的性能參數(shù)與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實(shí)用化的N溝道MOS
中科微電ZK60N04NF：N溝槽MOS管中的場(chǎng)景適配專家
在功率半導(dǎo)體的細(xì)分賽道中，MOS管的性能參數(shù)直接決定著電路系統(tǒng)的效率與可靠性。ZK60N04NF這款明確標(biāo)注“N溝槽”屬性的MOS管，以60V額定電壓、
PD快充MOS管高性能低內(nèi)阻SGT工藝場(chǎng)效應(yīng)管HG5511D應(yīng)用方案
、33W 等主流快充功率段的終端項(xiàng)目中實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，其性能表現(xiàn)可覆蓋電源驅(qū)動(dòng)（DC-DC 轉(zhuǎn)換）、同步整流、開關(guān)線路等場(chǎng)景，適用范圍包括小家電、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
HG5511D參數(shù)特點(diǎn)
【HG5511D】SGT工藝NMOS，高頻率大電流
低
發(fā)表于 11-03 09:28
PD快充MOS管HG5511D高性能低內(nèi)阻SGT工藝應(yīng)用方案 內(nèi)阻僅11mΩ 小尺寸DFN封裝
，快充專用MOS管
惠海半導(dǎo)體其他MOS管封裝及應(yīng)用
*常用
發(fā)表于 09-10 09:24
IU5536:0.5V低輸入電壓3A高效率升壓DCDC
引言
隨著 USB 設(shè)備、充電寶、移動(dòng)藍(lán)牙設(shè)備等便攜產(chǎn)品普及，低輸入電壓下的高效升壓需求越來(lái)越高。今天給大家推薦IU5536D同步升壓轉(zhuǎn)換器，0.5V 超低輸入電壓起步，適配多種低壓供電場(chǎng)景，
發(fā)表于 09-05 16:37
H6266C 150V高壓3A電流 降壓恒壓芯片 48V60V80V100V120V降12V5V3.3V 低功耗低紋波高性能
的領(lǐng)域。
BMS：
H6266C 150V高耐壓，降壓恒壓芯片，待機(jī)功耗低<160uA，3A持續(xù)電流，可滿足BMS的48V 60V 1
發(fā)表于 08-26 09:49
工程師私藏技巧：MOS管如何讓你的移動(dòng)電源快充又省電？HGE001N04L 低內(nèi)阻1mΩ 40V 170A大電流
、SOT89-3、TO-220
我司有20V 30V 40V 60V 100V 150
發(fā)表于 07-29 15:58
支持60V70V80V100V45A大電流方案N通道MOS管HC025N10L高性價(jià)比高效率穩(wěn)定
。
惠海半導(dǎo)體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150
發(fā)表于 07-10 14:03
CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道
?【工程師看過來(lái)！20-250V 全系列大電流低內(nèi)阻MOS管深度解析：硬核性能+多種場(chǎng)景適配！】?
！
?20-250V MOSFET分享清單?
**?**一、低壓段（20 V-30V-40V-60V ）
![]
典型規(guī)格： 3400 30N03 50N03 90N03 120N0350N04 120N04
發(fā)表于 03-27 17:13
60V耐壓降壓芯片內(nèi)置MOS管 SL3037B替代TPS54240
電流能力與效率?
SL3037B峰值輸出電流達(dá)?0.6A?，轉(zhuǎn)換效率?高達(dá)90%?（60V輸入轉(zhuǎn)5V/0.6A場(chǎng)景）?；TPS54240效率約85%-88%，且輸出電流上限較低。
二
發(fā)表于 03-07 16:24
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論