H012N06L參數特性 替代PAO4264E 貼片MOS管SOP-8
MOS管參數：60V50A
內阻：14mR（VGS=4.5V）
結電容：550pF
類型：SGT工藝NMOS
開啟電壓：1.8V
封裝：TO-252
H012N06L特點：高頻率、大電流、低開啟電壓、低內阻、結電容小、低消耗、溫升低、轉換效率高、過電流達、抗沖擊能力強、SGT工藝，開關損耗小
應用領域：各類照明應用、太陽能電源、加濕器、美容儀等電源開關應用
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惠海半導體NMOS常用型號：3400 30N03 50N03 90N
發表于 11-18 09:59
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的Trench工藝與緊湊的SOP-8封裝，成功將“雙管功能、單管占位”的優勢落地，成為消費電子、工業控制、車載輔助等場景的優選功率器件。
工商網監
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