沈陽儀表科學研究院，是始建于1961年的國家級科研院所，目前隸屬于國機集團。12年年底正式掛牌成立的國家傳感器研究中心，是增強傳感器產業核心競爭能力和發展為目標的研究開發實體研究院所，是國家傳感器產業的重要組成部分。 我院是我國最早（1981年）從事硅基敏感芯片、研究、開發、生產的單位，是中國芯片，芯體制造技術策源地。我院始終以芯片研制為核心技術，擁有光刻、離子注入、膜片腐蝕等芯片制造技術，擁有全套芯片制造設備，并廣泛運用于航天，航空，船舶等領域。

擴散硅壓力敏感芯片

HB2103系列敏感芯片

特點

閉合，半開，全開硅電阻電橋連接形式。

恒流激勵，靈敏度溫度自補償功能。

反向PN結電隔離構造，玻璃絕緣襯片。

適用于表壓，絕壓，差壓，負壓測量。

覆蓋100kPa~100MPa所有常用量程

技術指標 芯片尺寸（μm） 2050*2050，2450*2450，3340*3340； 工作溫度：-45℃~+100℃（可定制特殊溫度) 過載能力：2倍基準量程(＜10MPa);1.5倍基準量程（≥10MPa） 橋路電阻：5（1±20%）KΩ；4（1±20%）KΩ；3.3（1±20%）KΩ 滿量程輸出：≥60mV 線性度：±0.25%FS 零點溫度影響：±0.1%FS/℃ 滿量程溫度影響：±0.1%FS/℃ 供電電源：恒流1mA、1.5mA或恒壓5VDC

責任編輯：xj

原文標題：沈陽儀表院擴散硅壓力敏感芯片

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