以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的的第三代半導體材料主要用于電力電子、微波射頻和光電子器件的制造。其中，電力電子器件主要應用于消費類或工業、商業電源的制造，未來隨著新能源汽車的廣泛應用，該領域的應用比例將大幅增長;而在GaN射頻器件的下游應用領域中，國防和基站是最大的應用領域，未來隨著5G基站的應用推廣，GaN射頻器件在基站的應用占比將有所提升。

1、第三代半導體材料應用于三大器件的制造

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AIN）為代表的寬禁帶半導體材料，被稱為第三代半導體材料，目前發展較為成熟的是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），其主要應用于電力電子器件和射頻器件制造中。

2、2020年電力電子器件規模將達6.9億美元

在電力電子板塊，SiC是電力電子器件的主要材料，而GaN的應用占比相對較小。數據顯示，2018-2019年，全球SiC和GaN在電力電子器件的應用規模有所增長，2019年達6.4億美元;據Yole預測，2020年，SiC和GaN的電力電子器件市場規模將達6.9億美元，增速有所下降，主要受全球疫情的影響。

隨著產業技術的成熟，SiC及GaN器件相較于Si器件的性能優勢愈發明顯，第三代功率器件的滲透率逐步提升，應用領域越發廣泛。

以GaN電力電子器件的應用情況為例，2018-2019年，主要應用于消費類電源領域，至2025年，新能源汽車的應用將占據主導地位，至2030年，工業市場的應用也開始起步。

3、射頻器件主要應用于基站、國防領域

在微波射頻板塊，GaN是射頻器件的主要原料。2019年，全球GaN在射頻領域的應用規模達7.4億美元，較2018年增長了0.95億美元;據yole預測，2020年GaN在射頻領域的應用規模將達9.3億美元。

2019年，GaN射頻器件的下游應用領域中，國防是最大的應用領域，應用規模達3.42億美元，占比約46;其次是基站領域，市場應用規模達3.18億美元，占比約43%。據yole預測，隨著5G基站的應用推廣，GaN射頻器件在基站的應用占比將有所提升。

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