半導體激光器至誕生至現在已經有將近60年歷史，1962年，R．N．霍耳等人創制了砷化鎵半導體激光器，才真正開啟了半導體激光的歷程，時至今日半導體激光的應用及其封裝技術還在探索階段，目前為止半導體激光器主要分為線性封裝，疊陣封裝，以及環形弧面封裝主要三大封裝技術，在此基礎上還有面陣以及激光光束整形技術！

主要應用于激光泵浦模塊

主要應用于激光醫療美容，及其大功率工業激光

目前國外如CEO，rofin，FOBA等在弧面封裝上都是有自己的獨特的技術，比較普遍的做法就是在弧面上削出平面來鋪設bar條，這樣會比較浪費熱沉的表面占比，使得激光器體積較大，而且功率較低；但是一直沒用攻克的難關就是如何在真正的弧面熱沉上鋪設bar條來達到超高功率的輸出，經過我公司十幾年的技術積累，終于在激光環形弧面封裝上達到了世界領先水準。其峰值功率可高達20KW，單脈沖能量可到1000mj，其中最大單脈沖能量可達10000mj，實現了真正意義上的激光功率大型化，激光體積小型化的特征。

弧形產品特性：

1．結構分析傳導制冷，結構緊湊，更加容易集成在有限的環境中

2．硬焊料金錫封裝更高的壽命高可靠性，可在嚴苛環境下使用

3．窄光譜，泵浦效率高，輸出功率一般峰值可達20kw，最高可達數百千瓦

4．存儲時間長，可超過15年

5．工作溫度范圍廣（－40℃－90℃）

6．采用多種bar條間距設計，實現不同高功率密度

技術參數：

應用：半導體泵浦固體激光器的發展與半導體激光器的發展是密不可分的。1962年，第一只同質結砷化鎵半導體激光器問世，1963年，美國人紐曼就首次提出了用半導體做為固體激光器的泵浦源的構想。但在早期，由于二極管的各項性能還很差，作為固體激光器的泵浦源還顯得不成熟。直到1978年量子阱半導體激光器概念的提出，以及八十年代初期MOCVD技術的使用及應變量子阱激光器的出現，使得半導體泵浦固體激光器的發展步上了一個嶄新的臺階。在進入九十年代以來，大功率的半導體泵浦固體激光器及半導體泵浦固體激光器列陣技術也逐步成熟，從而，大大促進了半導體泵浦固體激光器的研究。

國內半導體泵浦固體激光器市場化水平已經達到數百瓦，實驗室水平已經達到千瓦級。在應用上，大功率半導體泵浦固體激光器以材料加工為主，包括了常規的激光加工：主要是材料加工，如激光標記、激光焊接、激光切割和打孔等，結構緊湊、性能良好、工作可靠的大功率半導體泵浦固體激光打標機產品系列已經在國內得到了規模應用，在國外，千瓦級的半導體泵浦固體激光器已有產品，德國、美國汽車焊接就已經用到了千瓦級半導體泵浦固體激光焊劑機，在原理和技術方案上半導體泵浦固體激光器定標到萬瓦都是可行的，主要受限于成本和市場需求的限制。二倍頻半導體泵浦固體激光器在微電子行業、三倍頻半導體泵浦固體激光器在激光快速成型領域都得到了廣泛應用。

除材料加工外，大功率半導體泵浦固體激光器還可以用于同位素分離（二倍頻、綠光）、激光核聚變、科學研究、醫療、檢測、分析、通訊、投影顯示以及軍事國防等領域，具有極其重要的應用價值。

審核編輯 黃昊宇