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第三代功率半導體發展面臨哪些挑戰?

我快閉嘴 ? 來源:愛集微 ? 作者:Jimmy ? 2020-11-27 15:27 ? 次閱讀
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小鵬汽車動力總成中心IPU硬件高級專家陳宏在2020第三代半導體支撐新能源汽車創新發展高峰論壇上表示,智能網聯汽車朝著高安全性、動力性、智能化、長續航、快速充電方向發展。

陳宏表示,2020-2025年新能源汽車銷量以年均25%增長率上升,到2025年銷量過700萬輛。

陳宏指出,功率半導體在新能源汽車中的應用領域包括:OBC、空調、逆變器、DCDC及附屬電氣設備。

碳化硅Mos相比硅基IGBT功率半導體具有耐高溫,低功耗及耐高壓等特點。采用碳化硅技術,電機逆變器效率提升約4%,對應整車續航里程增加約7%。

雖然第三代功率半導體有著諸多優點,但在國內市場與技術之下也面臨諸多挑戰,如器件成本高,功率器件的良率,EMC:高頻信號干擾比硅基IGBT大,SiC器件的制造與封裝,器件并聯擴容技術,器件及系統散熱設計等。

陳宏表示,碳化硅寬禁帶半導體技術的發展,對功率模塊的封裝要求更高,朝著耐高溫、高功率密度、低雜散電感、高可靠性封裝路線發展。

小鵬汽車希望與產業鏈合作伙伴,共同推進碳化硅在智能網聯汽車中的標準化,推廣第三代功率半導體在智能網聯汽車中的應用。
責任編輯:tzh

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