國內氮化鎵、碳化硅等產值或達70億元
日前，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲在2020國際第三代半導體論壇上透露，雙循環模式推動國產化替代，2020年中國SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。
其中，中國的GaN微波射頻產業產值2020年將達到33.75億元，比去年的26.15億元將增長29%；SiC、GaN電力電子產業產值2020年將達到35.35億元，比去年的29.03億元將增長21.77%。
市場規模擴大，5G加速推進GaN射頻應用迅猛增長，2020年中國GaN射頻器件市場規模約170億元；新能源汽車及消費電子成為突破口，2020年中國電力電子器件應用市場規模58.2億元。
吳玲建議，探索構建第三代半導體產業創新生態，摸索“平臺+孵化器+基金+基地”以及大中小企業融通發展的新模式，加強精準的國際與區域深度合作，共同努力使全鏈條進入世界先進行列。
吳玲預計，到2025年，5G通信基站所需GaN射頻器件的國產化率將達到80%；第三代半導體功率器件將在高速列車、新能源汽車、工業電機、智能電網等領域規模應用；Mini/Micro LED、深紫外等材料及芯片產業化可實現在健康醫療、公共安全、信息交互等領域的創新應用。到2030年，國內將形成1~3家世界級龍頭企業，帶動產值超過3萬億元，年節電萬億度。
責任編輯:pj
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