據媒體報道,臺積電將于2022年下半年開始量產3納米芯片,單月產能5.5萬片起,在2023年月產量將達到10.5萬片。
據悉,臺積電 N3 將繼續使用 FinFET 鰭式場效晶體管,而不是過渡到 GAA 環繞式結構場效晶體管。這與三星不同,三星已經表示要在 3 納米節點使用 GAA。臺積電預計 N3 將在 2022 年成為最新、最先進的節點。與 N5 相比,收益同樣不大,性能僅提升 1.1-1.15 倍,功耗提升 1.25-1.3 倍。與 7 納米相比,N3 在同樣的功率下,性能應該提高 1.25 倍 - 1.35 倍,或者在同樣的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。
責任編輯:pj
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
463文章
54010瀏覽量
466168 -
臺積電
+關注
關注
44文章
5803瀏覽量
176350 -
晶體管
+關注
關注
78文章
10396瀏覽量
147774
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
重磅研究:7nm FinFET 性能優化的隱藏密碼 —— 柵極與鰭片間距調控
(PDFSolutions)與意大利布雷西亞大學的研究團隊近期在《IEEE電子器件匯刊》發表的研究成果表明:柵極與鰭片間距的微幅變異,可通過機械應力調制效應顯著改變晶體管性能——在
技術報告 | Gate 和 Fin Space Variation 對應力調制及 FinFET 性能的影響
(FinPitch);機械應力;晶體管性能概述先進CMOS工藝節點的器件縮微正面臨愈發嚴峻的挑戰,究其原因在于光刻工藝的固有局限,以及三維晶體管集成方案的復雜度攀升。這一
電壓選擇晶體管應用電路第二期
電壓選擇晶體管應用電路第二期
以前發表過關于電壓選擇晶體管的結構和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示:
當輸入電壓Vin等于電壓選擇
發表于 11-17 07:42
英飛凌功率晶體管的短路耐受性測試
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN(氮化鎵高電子遷移率晶體管)和 OptiMOS 6(硅基場效應晶體管),在極端短路條件下的表現。通過一系列嚴謹的測試,
多值電場型電壓選擇晶體管結構
,有沒有一種簡單且有效的器件實現對電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因為通過調控晶體管內建電場大小來實現對電壓的選擇,原理是PN結有內建電場,通過外加電場來增大或減小
發表于 09-15 15:31
【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+工藝創新將繼續維持著摩爾神話
傳統的平面場效應晶體管開始,經鰭式場效應晶體管、納米片全環繞柵極場效應晶體管,向下一代叉形片和互補場效應
發表于 09-06 10:37
體硅FinFET和SOI FinFET的差異
在半導體制造領域,晶體管結構的選擇如同建筑中的地基設計,直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當制程節點推進到22nm以下時,傳統平面晶體管已無法滿足需求,鰭
晶體管光耦的工作原理
晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發光器件和光敏器件組合在一起的半導體器件,用于實現電路之間的電氣隔離,同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應和半導體
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!
,10埃)開始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產中獲得的知識可能有助于下一代互補場效應晶體管(CFET)的生產。
目前,領先的芯片制造商——英特爾、臺積
發表于 06-20 10:40
多值電場型電壓選擇晶體管結構
,有沒有一種簡單且有效的器件實現對電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因為通過調控晶體管內建電場大小來實現對電壓的選擇,原理是PN結有內建電場,通過外加電場來增大或減小
發表于 04-15 10:24
晶體管電路設計(下)
晶體管,FET和IC,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨器電路設計,FET低頻功率放大器的設計與制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋型OP放大器的設計與制作,進晶體管
發表于 04-14 17:24
臺積電將繼續使用 FinFET 鰭式場效晶體管?
評論