初創公司的新X-NAND技術在芯片級別提高了并行度
在2020年閃存峰會上，一家名為Neo Semiconductor的初創公司因其在閃存方面的創新而獲得了 最佳展示獎 。該公司表示它可以描述被稱為X-NAND的“ 3D NAND的未來架構”。Neo Semi聲稱其技術的應用“導致QLC NAND具有與SLC NAND相當的讀/寫性能”。
對于個人電腦游戲玩家和發燒友來說，擁有更快的存儲空間和更高的承受能力并不是一個吸引人的目標。Neo Semi表示，其高速，低成本解決方案將為新興應用程序帶來福音，例如AI / ML，5G，實時分析，VR / AR和網絡安全
Neo Semi指出，隨著閃存NAND存儲器從SLC到QLC的容量和可承受性的發展，速度已經“明顯變慢”。該公司表示，目前的情況是對于某些需要高速存儲訪問的應用來說，QLC太慢了。一些公司試圖通過使用DRAM和SLC緩存來解決該問題。Neo Semi的技術被稱為X-NAND，采用了不同的方法。
X-NAND在芯片級別提高了并行度，從而顯著加快了QLC NAND的速度。通常，這將意味著芯片尺寸的顯著增加，但是采用X-NAND時，該體系結構已被設計為“頁面緩沖區可以同時讀取/寫入幾條位線”。
這項技術聽起來很吸引人，但不幸的是，Neo Semi目前沒有可工作的原型芯片向投資者展示。為了從合理的理論過渡到實用性，初創企業正在尋找開發伙伴。Neo Semi表示，現有NAND制造商在現有工藝中實現其專利設計并不困難。希望它在閃存峰會上獲得的關注意味著它的設計和技術將會取得成果。
責任編輯:tzh
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