11 月 16 日消息據(jù)韓國媒體上周報(bào)道,韓國本土企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。但并沒有提到是哪一家企業(yè),合理推測應(yīng)指代韓國整個(gè)半導(dǎo)體光刻產(chǎn)業(yè)。
EUV 光刻技術(shù)是多種先進(jìn)技術(shù)的復(fù)合體,例如多層反射鏡,多層掩模,防護(hù)膜,光源和注冊表(registries)。
在過去的十年中,包括三星電子在內(nèi)的全球公司進(jìn)行了深入的研究和開發(fā),以確保技術(shù)處于領(lǐng)先地位。最近,代工公司(意指三星)開始使用 5 納米 EUV 光刻技術(shù)來生產(chǎn)智能手機(jī)的應(yīng)用處理器(AP)。
按公司劃分,全球六大公司的專利申請數(shù)占了總數(shù)的 59%,卡爾蔡司(德國)占 18%,三星電子(韓國)占 15%,ASML(荷蘭)占 11%,S&S Tech(韓國)占 8%,臺(tái)積電(臺(tái)灣)為 6%,SK 海力士(韓國)為 1%。
從具體的技術(shù)項(xiàng)目來看,曝光裝置技術(shù)申請專利占 31%,掩膜技術(shù)申請專利占 28%,其他申請專利占 9%。在工藝技術(shù)領(lǐng)域,三星電子占 39%,臺(tái)積電占 15%。在光罩領(lǐng)域,S&S 科技占 28%,Hoya(日本)占 15%,漢陽大學(xué) (韓國)占 10%,朝日玻璃 (日本)占 10%,三星電子占 9%。
據(jù)了解,韓媒還提到了韓國專利數(shù)量,據(jù)韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局 (KIPO)發(fā)布的《近 10 年 (2011-2020 年)專利申請報(bào)告》顯示,2019 年,韓國提交的專利申請數(shù)量為 40 件,超過了國外企業(yè)的 10 件。
韓媒稱這是韓國提交的專利申請量首次超過國外企業(yè)。到 2020 年,韓國提交的專利申請也將是國外企業(yè)申請的兩倍以上。
責(zé)任編輯:lq
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30737瀏覽量
264118 -
光刻技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
151瀏覽量
16529 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
615瀏覽量
88807
原文標(biāo)題:韓媒:韓國本土企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得重大進(jìn)展
文章出處:【微信號(hào):CSF211ic,微信公眾號(hào):中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評(píng)論請先 登錄
中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!
俄羅斯亮劍:公布EUV光刻機(jī)路線圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?
清華大學(xué)在分焦面超像素陣列光刻制造領(lǐng)域取得新進(jìn)展
匯川技術(shù)構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)在工程化應(yīng)用方面取得重大突破
5G網(wǎng)絡(luò)通信有哪些技術(shù)痛點(diǎn)?
白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測量
上海光機(jī)所在全息光刻研究方面取得進(jìn)展
上海高研院在高重頻全相干自由電子激光研究方面取得重要進(jìn)展
EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展
上海光機(jī)所在激光驅(qū)動(dòng)離子加速方面取得新進(jìn)展
中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸
CADENAS 在 2025 年金字塔公司聯(lián)系博覽會(huì)上取得圓滿成功
清華大學(xué)在激光干涉光刻全局對(duì)準(zhǔn)領(lǐng)域取得新進(jìn)展
韓國企業(yè)在EUV光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展
評(píng)論