碳化硅是現在比較火的一種半導體材料，近幾年碳化硅的發展特別快，在很多方面都有應用，滲透在人們生活的方方面面。用碳化硅取代傳統的硅材料應用于逆變器，作用更快。能耗越低，效率越高。與此同時，碳化硅在設計方面體積可以更小更輕，對產品的設計創新也有很大的幫助。像安森美半導體最近推出的SiC集成功率模塊，就被廣泛的應用在太陽能逆變器中，廣受好評。

NXH40B120MNQ集成度高，引腳分配針對逆變器設計進行了優化，它的全SiC電源模塊有2通道和3通道版本，還有2通道模塊NXH80B120MNQ0，集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。

SiC技術的使用提供了實現太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速開關特性，與此同時，通過使用SiC器件，功率模塊可以提供低導通和開關損耗，從而支持使用更高的開關頻率，有助于提高逆變能效。此外，這些模塊易于使用，可根據客戶的喜好，采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。

如今，這款適用于太陽能逆變器應用的全SiC功率模塊已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。

除了太陽能逆變器方面的應用外，SiC在功率器件、電子開關器件和各種大功率、高溫工作的器件上應用也很廣泛，和Si相比，SiC還是有很大優勢的。

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