11月1日，國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司新增對外投資，被投資企業為合肥沛頓存儲科技有限公司（下稱“沛頓存儲”），出資9.5億人民幣，占比達31%。

深科技全資子公司沛頓科技與大基金二期、合肥經開投創以及關聯方中電聚芯簽署《投資協議》，共同出資設立沛頓存儲，注冊資本30.6億元。

其中，沛頓科技、大基金二期、合肥經開投創和中電聚芯分別現金出資17.1億元、9.5億元、3億元和1億元，各持有沛頓存儲55.88%、31.05%、9.8%和3.27%股權。

沛頓存儲成立后，將投建存儲先進封測與模組制造項目，該項目總投資30.67億元，其中建設投資29.65億元，建設周期36個月。

其中，將主要建設DRAM存儲芯片封裝測試業務，計劃全部達產后月均產能為4800萬顆；建設存儲模組業務，計劃全部達產后月均產能為246萬條模組；建設NAND Flash存儲芯片封裝業務，計劃全部達產后月均產能為320萬顆。

據了解，該項目技術來源于沛頓科技。目前，沛頓科技存儲芯片封裝制程采用的是當前高端產品的主流技術，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統級SiP封裝技術等，現有產品已實現多達16層的多晶堆疊技術，最大單顆芯片容量可達到256G。

深科技表示，通過本次項目的實施，沛頓科技可以提升自身先進封測綜合實力，在先進封測領域取得突破性進步；同時，項目實施可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以及DRAM內存模組制造業務，有利于打破國內存儲器領域對進口產品的依賴和技術壁壘，加速存儲器國產化替代進程，提升國產存儲器芯片的產業規模，促進我國存儲器產業鏈發展。
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