作者：Maurizio Di Paolo Emilio

高效功率轉換（EPC）宣布了用于激光雷達系統設計的eToF激光驅動器系列。新的氮化鎵（GaN）系列旨在為消費類和工業領域的自動駕駛汽車和3D感測提供飛行時間（ToF）應用。

EPC的新型激光雷達將設備驅動器直接與基于GaN的激光器集成在一起。EPC首席執行官Alex Lidow解釋說，這種配置幾乎消除了兩個元件分開時存在的所有電感。這使EPC的新激光雷達能夠產生相對較快的脈沖，最終轉化為更高的分辨率。

他說：“您對激光的擁抱越多越好。”

集成還可以減小傳感器/驅動器組合的尺寸；新設備可以縮小到3平方毫米或小至1平方毫米。此外，根據Lidow所說，EPC可以廉價出售它們。

“性能低于1美元的激光器/驅動器，而100美元，200美元的性能如何？Lidow說，他解釋了為什么他認為OEM會發現增加EPC的新激光雷達設備將是微不足道的費用，他解釋說。

Lidow說，EPC已經銷售了數百萬個用于機器人，自動吸塵器，無人駕駛飛機和其他應用的激光雷達。Lidow認為，隨著新激光雷達性能的提高以及尺寸和成本的降低，新激光雷達將對智能手機，各種先進車輛和其他產品的制造商產生吸引力。

包括攝像機。Lidow解釋說，光學傳感器總是要花一點時間聚焦在移動的物體上，并指出以激光速度找到物體的范圍是激光雷達的根本目的。這就是為什么他設想將攝像頭系統與激光雷達集成在一起。

Lidow強調了在激光雷達應用中，如何以低成本引入這個新系列與MOSFET競爭。所述EPC21601激光驅動器集成了40 V，10甲FET具有集成柵極驅動器和3.3邏輯電平輸入到單個芯片中。

激光雷達是一種使用脈沖激光測量物體之間距離的技術，通過獲取的信息可以獲得3D圖像。激光雷達技術可提供準確性，廣域覆蓋以及對數據收集的全數字支持。

事實證明，采用GaN技術的FET可用作激光開關的驅動器元件，可驅動大電流和極短的脈沖。較短的脈沖寬度可提供更高的分辨率，而高脈沖電流可使激光雷達系統達到較遠的距離。Lidow表示：“ GaN技術支持這兩個特性，使其非常適合激光雷達。”

激光雷達的飛行時間（ToF）
脈沖激光雷達技術用于長距離，可直接測量光子經過往返距離的時間，這稱為飛行時間。Lidow說：“ ToF技術非常簡單，它實質上測量了往返時間。”

在這些應用中，當您必須靠近物體時，激光信號的脈沖寬度就會出現問題。“光每三納秒傳播一米，因此，如果脈沖寬度為一納秒，那么您實際上無法測量比一米還要近的物體，除非您要查看的是輸出與輸出之間的相位差。輸入。因此，基本上，您查看輸出脈沖，然后從返回脈沖中減去輸出脈沖。因此，人們為了間接測量飛行距離而要做的就是使用大量的光功率。他們用100兆赫量級的脈沖流做到這一點。他們測量了積分脈沖流的相位差，告訴您物體有多遠。” Lidow說。

他補充說：“如果您正在尋找距離幾英尺遠的地方，則只需使用垂直腔表面發射激光器（VCSEL），就只需大約1到10安培的電流。而且，如果您想走得更遠，由于使用的是非定向光脈沖，因此功率要求會越來越大。因此，間接飛行時間往往是在近距離應用中進行操作的一種極好的機制，而不是對遠處物體的有效機制。”

圖1：脈沖寬度和幅度（來源：EPC）。

激光雷達
的eToF EPC21601是一款激光驅動器，使用3.3 V邏輯在高達200 MHz的高頻下進行控制，以調制高達10 A的激光驅動電流。接通和斷開時間分別為410 ps和320 ps。EPC21601是采用EPC專有的GaN IC技術的單芯片外加eGaN FET驅動器，芯片尺寸為1.5 mm x 1.0 mm的BGA尺寸。

它是一種40伏，10安培的FET器件，旨在通過3.3伏邏輯電平輸入來驅動VCSEL。“使用兩個單獨的芯片而不是一個芯片時要考慮的事情之一是，兩個芯片在驅動器和功率FET之間的電感約為50 Pico Henry。而且，如果您有50 Pico Henry的電感，您的速度將減半。因此，即使您降低到10或20 Pico Henry，這也很重要。驅動器和功率FET的集成將公共源電感減小到只有幾個Pico Henry，從而改善了脈沖的上升和下降時間，并因此改善了非常接近的物體的分辨率。” Lidow說。

圖2：EPC21601的時序性能（來源：EPC）。單擊以放大圖像。

EPC21601采用芯片級封裝（CSP）提供，易于組裝，節省了PCB空間，并提高了整體效率。Lidow說：“該產品系列將使ToF能夠在更廣泛的最終用戶應用中更快地采用。”他補充說：“超聲波傳感器的檢測距離不能小于30厘米。這是它們的局限性，與工作頻率有關。因此，您可以在一個短距離內替換超聲傳感器和攝像頭芯片。”EPC21601專為高速，短脈沖操作而設計，同時最大程度地減少了所需的外部零件數量。

圖3：EPC21601 – 200 MHz的時序性能（來源：EPC）。點擊放大圖片

Lidow通過圖2和3展示了一系列測試如何確認新設備在高速應用中的有效性。“在圖2中，有一個10安培的脈沖串，高20伏，寬9納秒，接通時間約為400皮秒，斷開時間約為300皮秒。而且通斷時間受電感限制。在這種情況下，可以解決非常短的距離。圖3顯示了200兆赫茲的脈沖序列。因此，在這種情況下，我們有一個1.4納秒寬的脈沖，仍然有10安培和20伏特。從圖中可以看到，這里的關閉時間是245皮秒乘以300皮秒。” Lidow說。他補充說，根據圖片2和3，新的IC可以使用ToF應用中使用的任何激光技術實現非常快速的操作。

圖4：演示板（來源：EPC）。單擊以放大圖像。

圖5：EPC9154開發板的框圖（來源：EPC）。單擊以放大圖像。

Lidow說，還有諸如EPC9154的開發板，它具有EPC21601 eToF激光驅動器IC，主要用于驅動短脈沖大電流激光二極管。功能包括最小脈沖寬度<2 ns，峰值電流> 10 A和總線電壓30 V（圖4-6）。EPC9154能夠驅動帶有電流脈沖的激光二極管，從而產生數十瓦光功率的峰值功率。考慮到設計激光雷達應用的激光二極管，但是激光封裝的熱限制意味著必須遵守脈沖寬度，占空比和脈沖重復頻率限制。

圖6：連接和測量設置（來源：EPC）。單擊以放大圖像。

正如Lidow指出的那樣，由于特定原因，可能會影響性能的開關損耗實際上并不會顯著影響散熱問題，因為激光器是在突發模式下使用的。因此，它會周期性地發出200兆赫茲的脈沖流，可能以100赫茲或10赫茲的速度，這取決于您要實現的幀速率。而且在每種情況下，激光都是熱極限，” Lidow說。

他補充說：“作為競爭對手，我看到了MOSFET。硅MOSFET的成本非常低，人們對此非常熟悉。但是高頻和功率密度的出現將在應用中受到限制。例如，在電機驅動器中，我們現在看到GaN的大幅增加，因為對于低電壓，電機的頻率從20kHz上升到100kHz。對于新一代汽車，它們需要4或5千瓦，而最好的MOSFET需要4千瓦，因此需要具有MOSFET的7相降壓轉換器。GaN可以分四個階段完成，從而節省了空間并提高了效率。”

消費電子行業將受益于這種新型的eToF，既包括豪華機器人，也包括其他較便宜的機器人。所有人都裝有激光雷達，以確保它們不會撞到錯誤或準確知道要在哪里檢測位置。無人機將看到這些解決方案的使用，將增加其在地面識別應用中的市場。

— Brian Santo對本文做出了貢獻。
編輯：hfy