本文討論了霍爾效應集成電路如何提供非介入式電流感測技術以及對高電流水平的安全，隔離的檢測，而不會耗散與電阻式電流感測方法相關的大量浪費的功率（以及由此產(chǎn)生的熱量）。此外，霍爾效應電流感測可提供載流導體的電隔離。因此，為電路，操作員等提供了安全的環(huán)境。

霍爾效應傳感器IC的激增電流檢測應用仍在繼續(xù)；變得更加多樣化；此外，隨著其他設計師努力保護系統(tǒng)，制造更可靠的“防彈”設備以及解決任何安全問題，該產(chǎn)品也不斷擴展和壯大。

背景與介紹

霍爾效應的發(fā)現(xiàn)可以追溯到1879年。然而，埃德溫·霍爾（Edwin H. Hall）發(fā)現(xiàn)的任何有意義的應用都在等待1960年代后期首次出現(xiàn)的半導體集成。隨后，進一步的發(fā)展（特別是1990年代的發(fā)展）得到了進一步發(fā)展，功能集成更加全面，并且擴展了一系列針對特定用途的霍爾傳感器IC類型。然而，磁傳感器電子技術的不懈進步繼續(xù)激增了對用于感測/檢測運動，方向，位置以及測量/監(jiān)視電流的低成本，可靠和“非接觸式”霍爾效應電路的需求。

霍爾效應傳感器IC（特別是比例線性）是用于“開環(huán)”電流感測設計的一流設備。但是，可能實現(xiàn)的操作范圍，精度和精度，頻率響應等存在一些限制。由于許多潛在用戶都不了解和/或忽略了使用霍爾效應IC的電流檢測技術的優(yōu)點或缺點，因此本文致力于全面討論“非侵入式”電流檢測的基本技術。現(xiàn)已提供帶有硅霍爾效應器件（HED）的產(chǎn)品。

如果不使用開槽的環(huán)形線圈來集中（并聚焦）感應通量場，大多數(shù)霍爾效應電流感測要求都不會產(chǎn)生足夠的磁場。低至適中的電流（<≈15安培）需要在開槽的環(huán)形線圈（鐵芯）上纏繞足夠的匝數(shù)，以感應出可用的磁通強度并產(chǎn)生合適的信號電壓。較高的電流水平（> 15至20安培）會感應出磁場強度，從而使載流導體直接穿過環(huán)形線圈的中心（在這些較高電流下無需轉彎）。

使用線性霍爾效應傳感器IC的設計需要廣泛（或連續(xù)）的電流范圍要求。但是，數(shù)字HED可以提供過電流保護和/或故障檢測設計。電流感應技術，設備參數(shù)，溫度穩(wěn)定性以及霍爾效應電流感應的其他相關問題的本質(zhì)的示例和詳細信息在本論文中涵蓋了用于感應交流和直流電流的HED。

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