10月28日消息，華瑞微第三代化合物半導體生產線項目近日順利落戶安徽省滁州市南譙經濟開發區,該項目是南京市浦口區與滁州市南譙區簽署跨界一體化發展示范區合作框架協議后的首個招引項目。

據了解，該項目總投資10億元，占地100畝，建設周期3年，主要承擔第三代化合物半導體器件的研發及產業化，建設SiC MOSFET生產線。項目建成后將形成年產1萬片第三代化合物半導體器件的生產能力，完全達產后銷售額預計超10億元。目前，項目已經完成相關審批，正式開工建設。

據該項目負責人介紹，第三代化合物半導體器件主要應用于5G基站、新能源汽車、工業電源等高端領域，該項目的建成投產將助力國內高端功率器件持續健康發展。同時，該項目的順利實施，將對浦口、南譙兩地的半導體產業發展產生深遠影響，推動兩地進一步補齊補強上下游產業鏈，增強產業核心競爭力，打造未來發展新優勢。

南京華瑞微背景

南京華瑞微集成電路有限公司是一家專注于功率器件的設計企業， 2018年5月落戶江蘇南京浦口高新區（自貿區內），創始人有近20年的晶圓廠和設計公司的行業經驗，管理過6英寸和8英寸晶圓廠的技術部門、研發部門，曾參與建設3座晶圓廠，創辦過芯片設計公司。核心團隊數十人，均有十年以上的晶圓廠或功率器件設計公司的從業經驗。

2019年南京華瑞微為市場貢獻了超過15萬片晶圓，通過了國家高新技術企業認定，并且被評為2019年度“江蘇省專精特新（創新類）小巨人企業”、“江蘇省科技型民營企業”等一系列稱號，和知名高校共建聯合實驗室及研究生實訓基地。華瑞微的產品正在從消費級功率器件向工業級、車規級功率器件邁進。超結MOS產品已經穩定向充電樁客戶供貨，第二代SiC MOSFET已研發成功，小批量試產。

什么是第三代化合物半導體

半導體產業發展至今經歷了三個階段：第一代半導體材料以硅為代表；第二代半導體材料砷化鎵也已經廣泛應用；而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導體材料，相較前兩代產品性能優勢顯著，是5G時代的主要材料。由于第三代半導體材料在應用領域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優點：具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，可實現高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。

從應用范圍來說，第三代半導體領域還具有學科交叉性強、應用領域廣、產業關聯性大等特點。在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域擁有廣闊的應用前景。

SiC的優勢

對比傳統硅基功率器件，碳化硅有著無可比擬的優勢：它能承受更大的電流和電壓、更高的開關速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅做成的功率模組可以相應的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件，使得整個功率器件模組更加輕巧、節能、輸出功率更強，同時還增強了可靠性，優點十分明顯。作為新一代的“黃金賽道”，業內更是有“得碳化硅者得天下”的生動比擬。

第三代化合物半導體的未來

碳化硅和氮化鎵是未來第三代化合物半導體的核心發展方向，是全球半導體產業領導者重點布局的研究領域。根據Omdia《2020年SiC和GaN功率半導體報告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導體銷售收入預計將達到8.54億美元，并且在未來10年增長率都會保持在兩位數。

原文標題：華瑞微第三代化合物半導體生產線落戶安徽滁州！

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