10月14日，三安集成連續第四次參加電子設計創新大會（EDICON），與通訊行業同仁共同探討行業熱門話題。本次展會，三安集成攜最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工藝，為客戶呈現兩場技術交流分享會。

三安集成在砷化鎵射頻芯片制造工藝領域持續投入，不斷提高工藝水平，第三代HBT工藝可以應用于HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及PAE水平，支持客戶在高頻段消費類通訊的應用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT工藝均已實現量產，可以為客戶提供世界一流的生產能力和性能水平。在展會期間，砷化鎵射頻事業部的林義書處長就5G應用市場闡述三安集成的服務能力。

為配合客戶在射頻前端模組的設計需求，三安集成也在積極建設濾波器產業鏈，于日本成立研發中心，匯集國際尖端科研智慧，及時響應市場動態，為客戶提供最新的技術成果；三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的濾波器供應鏈，垂直整合了研發設計，襯底材料，芯片制造和封裝測試等環節，確保穩定持續的產能供應，預計到2021年第二季度，產能可以達到120Mu/月。濾波器事業部的謝祥政經理也就表面聲波（SAW）濾波器仿真的相關議題進行了分享。

Sanan IC Stand at EDI CON China 2020

三安以近20年的化合物半導體制造經驗，專業的設計支持團隊，以及豐沛的產能，為微波射頻、功率電子以及光技術領域的客戶提供標準化及客制化的生產服務。

原文標題：三安集成持續投入砷化鎵射頻芯片，積極建設濾波器產業鏈

文章出處：【微信公眾號：MEMS】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。

責任編輯：haq