電子顯微鏡下觀察英特爾的14nm與臺(tái)積電的7nm差異
這些年在制程工藝上，Intel老是被詬病慢半拍，其實(shí)評(píng)價(jià)也不客觀，畢竟Intel對(duì)制程節(jié)點(diǎn)的命名更嚴(yán)lao肅shi，所以才有Intel的10nm相當(dāng)于甚至更優(yōu)于臺(tái)積電/三星7nm的說法。
想要從微觀上鑒別制程差異，加拿大Up主Der8auer找來電子顯微鏡探究了一番，此次選取的對(duì)象是Intel 14nm+++工藝的酷睿i9-10900K和臺(tái)積電7nm的AMD 銳龍9 3950X處理器。
開蓋當(dāng)然是基本操作了，還要盡可能把處理器搞得支離破碎，最后用導(dǎo)電膠固定在支架上，以便電鏡X射線工作。
為了方便對(duì)比，特別選取的是各自處理器的L2緩存部分，這往往是工藝水準(zhǔn)的集中體現(xiàn)。
簡(jiǎn)單來說，Intel 14nm芯片晶體管的柵極寬度為24nm，而AMD芯片的柵極寬度為22 nm，柵高也相當(dāng)相似。
雖然乍一看兩者并沒有太大不同，但仔細(xì)一瞧，臺(tái)積電的節(jié)點(diǎn)仍然比英特爾的密度要大得多，畢竟名義上領(lǐng)先一代。
責(zé)編AJX
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