半導(dǎo)體和集成電路的歷史

半導(dǎo)體的誕生歷史可以追溯到1874年發(fā)明整流器（AC-DC轉(zhuǎn)換器）。幾十年后，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的Bardeen和Brattain 于1947年發(fā)明了點(diǎn)接觸晶體管，而Shockley在1948年發(fā)明了結(jié)型晶體管，這預(yù)示著晶體管時(shí)代的到來(lái)。1946年，美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)使用真空管制造了一臺(tái)計(jì)算機(jī)。這臺(tái)計(jì)算機(jī)很大，以致其真空管占據(jù)了整個(gè)建筑物，并且消耗了大量的電能并產(chǎn)生了大量的熱量。后來(lái)，創(chuàng)新的晶體管計(jì)算器（計(jì)算機(jī)）得到了發(fā)展，從那時(shí)起計(jì)算機(jī)得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。1956年，肖克利，巴丁和布拉滕共同獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)，以表彰他們對(duì)半導(dǎo)體研究和晶體管開(kāi)發(fā)的貢獻(xiàn)。

晶體管的發(fā)明使半導(dǎo)體工業(yè)迅速發(fā)展。1957年，它的規(guī)模已經(jīng)超過(guò)1億美元。1959年，德州儀器（TI ）的Kilby和美國(guó)飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）的Noyce發(fā)明了雙極集成電路（IC）。這項(xiàng)發(fā)明對(duì)半導(dǎo)體的歷史產(chǎn)生了重大影響，標(biāo)志著集成電路的誕生時(shí)代。該IC體積小，重量輕，被廣泛用于各種電器中。

1967年，德州儀器（TI）使用IC開(kāi)發(fā)了電子臺(tái)式計(jì)算器（計(jì)算器）。在日本，電子設(shè)備制造商陸續(xù)發(fā)布了計(jì)算器，激烈的“計(jì)算器大戰(zhàn)”一直持續(xù)到1970年代末。我知道了集成度進(jìn)一步提高，并且開(kāi)發(fā)了大規(guī)模集成電路（LSI）。技術(shù)不斷進(jìn)步。在1980年代開(kāi)發(fā)了VLSI（每個(gè)芯片從10萬(wàn)到1000萬(wàn)個(gè)電子組件），在1990年代開(kāi)發(fā)了ULSI（每個(gè)芯片超過(guò)1000萬(wàn)個(gè)電子組件）。在2000年，系統(tǒng)LSI（將多功能集成在一個(gè)芯片中的多功能LSI）投入了大規(guī)模生產(chǎn)。隨著IC向高性能和多功能的方向發(fā)展，其應(yīng)用領(lǐng)域正在廣泛擴(kuò)展。現(xiàn)在，半導(dǎo)體被用于我們社會(huì)的每個(gè)角落，并為日常生活提供支持。

集成電路（IC）

一個(gè)集成電路（IC）的是包含許多功能元件，例如作為電子設(shè)備的晶體管，電阻器，電容器等上的一塊硅的半導(dǎo)體襯底，和被密封的多個(gè)終端的封裝內(nèi)。目前，IC的臨界尺寸（或IC元件的最小尺寸）約為10 納米（nm：10-9m），非常小。

晶體管收音機(jī)在過(guò)去使男孩著迷，它由一塊帶有分立晶體管，電阻器和電容器的印刷電路板組成和插入的二極管，它們相互連接。當(dāng)前的IC是高度集成和小型化的，大約是晶體管無(wú)線電的1/55000的大小和30億分之二的面積。由于具有高集成度，具有各種功能的嵌入式IC極大地提高了電子產(chǎn)品的性能。

在集成電路的制造中，許多集成電路是在硅晶片上制成的，然后切成（切成小塊）成許多集成電路芯片（管芯）。所述IC芯片被封裝保護(hù)，因?yàn)檫M(jìn)行電氣連接到印刷電路板時(shí)尺寸太小，并且還因?yàn)镮C芯片如果不加以保護(hù)將導(dǎo)致斷裂。

如果打開(kāi)個(gè)人計(jì)算機(jī)的機(jī)蓋，將看到帶有多條腿伸出的物體。這些是隱藏在封裝內(nèi)的IC。

根據(jù)組件的數(shù)量，將IC分為L(zhǎng)SI（大規(guī)模集成），VLSI（超大規(guī)模集成）和ULSI（超大規(guī)模集成）。通常，“ VLSI”一詞涵蓋“ ULSI”。
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