大家都了解，CPU是負責計算和處理的，而存儲器則是負責互換數據信息的。有些人是那么形容的，說CPU便是技術工程師自己，運行內存就好像操作臺，必須妥善處理的物品必須先取得工作中臺子上才便捷解決。那么硬盤是什么呢？電腦硬盤如同木柜，儲放電子元器件儀器設備用的庫房，存物品。

存儲器有兩個基礎的組成模塊，充足了解SRAM和DRAM這兩個定義及其電路原理，針對學習工具CPU架構及其DDR十分有效。DRAM便是動態隨機存儲器，SRAM是靜態數據隨機存儲器。這一動一靜的實質是什么呢？先說靜態數據隨機存儲器，它是運用如D觸發器的構造來進行數據信息的載入與載入的，材料的載入不用刷新動作，那樣不用更新動作的就變成靜態數據。那樣促使控制系統設計非常簡單，存儲的速率比DRAM快許多。適用于于髙速儲存的應用領域例如CPU的cache緩存文件。

了解完靜態數據隨機存儲器以后，動態性隨機存儲器就比較好了解。動態性是指運用電容器的蓄電池充電來完成材料的載入與載入姿勢，由于電容器會漸漸地充放電，假如充放電到閥值下列，數據信息很有可能便會遺失了，因而必須每過一段時間來做更新的姿勢，以維持材料的一致性。最普遍的便是手機上和電腦上的運行內存了。

1、第一層了解—一個D觸發器組成非常簡單SRAM

首先從最基本數字電路設計開始。有一個很基礎且深刻的認識：SRAM cell最簡單的構成單元就是一個D觸發器，如下圖所顯示的D觸發器是數字電路設計系統軟件里邊的一個基礎模塊。

1bit的SRAM模塊的關鍵電源電路便是一個D觸發器。當有power存有的情況下，由于D觸發器的特點，數據信息能夠儲存，不用刷新。觸發器原理是具備記憶力作用的，具備2個平穩的信息內容存儲狀態。D觸發器的特點方程組是：Q（n+1）=D；也就是記憶力前一個情況，能夠從RS觸發器考慮，寫一下真值表，測算就很好了解了。

2、第二層了解—4個多管組成的SRAM

隨后，可以用基礎晶體三極管方面來構建一個簡易的SRAM模塊，只是由4個NMOS管和2個電阻器組成的。

3、第三層了解--6管多管組成的SRAM

最終，能夠從IC的生產制造方面看來。實際上絕大多數與第二層類似，僅僅M2與M4用PMOS替代。SRAM中的每一bit儲存在由四個場效管（M1，M2，M3，M4）組成2個交叉耦合的反相器中。此外2個場效管（M5，M6）是儲存基礎模塊到用以讀寫能力基準線（BitLine）的自動開關。

一個SRAM基礎模塊有0和12個脈沖信號平穩情況。SRAM基礎模塊由2個CMOS反相器構成。2個反相器的鍵入、輸出交叉式聯接，即第一個反相器的輸出聯接第二個反相器的鍵入，第二個反相器的輸出聯接第一個反相器的鍵入。這就能完成2個反相器的輸出情況的鎖住、儲存，即儲存了一個位元的情況。