隨著 5G 的到來，市場對氮化鎵器件的需求猛增。據市場調研公司 Yole Development 預測，全球 GaN RF 器件的市場規模到 2024 年將超過 20 億美元，其中無線通信將占據絕大部分。而作為射頻領域的專家，Qorvo 在這個領域也有著領先的優勢。

Qorvo 提供全面的 GaN/GaAs 代工流程和先進的封裝專業知識產品組合，能提供業界廣泛的 RF GaN-on-SiC（碳化硅氮化鎵）產品組合，幫助客戶實現卓越的效率和運行帶寬，還能縮小器件的體積，進而降低材料成本。這些小尺寸的器件還帶來了更低的電容和組合損耗，在幫助設計人員設計帶寬更寬的放大器之余，還能獲得更高的效率和增益。

在今天開幕的 ELEXCON 2020 電子展上，Qorvo 將會亮相展會特設的“ GaN & SiC 展區”，帶來公司在射頻氮化鎵和電源方面的精彩分享。

在射頻氮化鎵方面，Qorvo將帶來包括 QPF4005 和 QPF4006 在內的 39GHz FEM 組合系列。其中 QPF4005 是一款雙通道多功能 GaN MMIC 前端模塊，適用于 39GHz 相控陣 5G 基站和終端。對于每個通道，多功能 MMIC 芯片均包含一個低噪聲放大器，一個低插入損耗高隔離度 TR 開關和一個高增益高效多級 PA。而 QPF4006 是面向 39GHz 相控陣 5G 基站和終端的多功能 GaN MMIC 前端模塊。該器件結合了低噪聲高線性度 LNA，低插入損耗高隔離度 TR 開關和高增益高效多級 PA。

來到電源方面，則主要是Qorvo收購的Active-Semi的核心優勢。作為數十億美元規模的電源管理和智能電機驅動集成芯片市場上迅速崛起的領導者。Active-Semi所提供的模擬和混合信號SoC產品組合為工業、商業和消費應用提供用于充電系統、供電系統和嵌入式數字控制系統的可擴展核心平臺，其提供的Power Application Controller（PAC）和可編程模擬IC可大大縮減解決方案尺寸和成本，提高系統可靠性并縮短系統開發時間。

歡迎大家在電子展期間（2020 年 9 月 9-11 日）蒞臨深圳國際會展中心(寶安) 9、11 號館“GaN & SiC 展示專區”9M52-B 展位，與 Qorvo 來一場不見不散的約定。

原文標題：Qorvo 亮相 ELEXCON 2020

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