光刻是指利用光學復制的方法把圖形印制在光敏記錄材料上，然后通過刻蝕的方法將圖形轉移到晶圓片上來制作電子電路的技術。其中光刻系統被稱為光刻機，帶有圖形的石英板稱為掩膜，光敏記錄材料被稱為光刻膠或抗蝕劑。具體光刻流程如下圖所示

光刻技術是集成電路制造、印刷電路板制造以及微機電元件制造等微納加工領域的核心技術之一。進入21世紀以來，隨著電子信息產業的高速發展，集成電路的需求出現了井噴式的增長。使的對掩膜的需求急劇增加，目前制作掩膜的主要技術是電子束直寫，但該制作效率非常低下，并且成本也不容小覷，在這種背景下人們把目光轉移到了無掩膜光刻技術。

備受關注的無掩膜光刻技術大概可以分為兩類：

1）帶電粒子無掩膜光刻；例如電子束直寫和離子束光刻技術等。

2）光學無掩膜技術；例如DMD無掩膜光刻技術、激光直寫、干涉光刻技術、衍射光學元件光刻技術等。

其中DMD無掩膜光刻技術是從傳統光學光刻技術衍生出的一種新技術，因為其曝光成像的方式與傳統投影光刻基本相似，區別在于使用數字DMD代替傳統的掩膜，其主要原理是通過計算機將所需的光刻圖案通過軟件輸入到DMD芯片中，并根據圖像中的黑白像素的分布來改變DMD芯片微鏡的轉角，并通過準直光源照射到DMD芯片上形成與所需圖形一致的光圖像投射到基片表面，并通過控制樣品臺的移動實現大面積的微結構制備。設備原理圖圖下圖所示。相對于傳統的光刻設備，DMD無掩膜光刻機無需掩膜，節約了生產成本和周期并可以根據自己的需求靈活設計掩膜。相對于激光直寫設備，DMD芯片上的每一個微鏡都可以等效看成一束獨立光源，其曝光的過程相當于多光束多點同時曝光可極大提高生產效率特別是對于結構繁瑣的圖形。

該設備光源采用波長為365nm的紫外LED，相比于激光或者汞燈，LED光源具有更長的使用壽命穩定性。LED光源的使用壽命可達到10000小時。采用10倍物鏡單次曝光面積達到1mm?0.6mm，并在1s內完成曝光。若配備電動平移臺，可完成套刻和光刻拼接，拼接面積可達25mm*25mm，拼接誤差優于0.5μm并且擁有自動聚焦和對準功能。

應用案例：