兆易創新今日宣布，與領先的半導體IP供應商RambusInc.就RRAM(電阻式隨機存取存儲器)?技術簽署專利授權協議。同時，兆易創新還與其同Rambus以及幾家戰略投資伙伴的合資企業——合肥睿科微（RelianceMemory）簽署了授權協議。根據協議內容，兆易創新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術相關專利和應用，這將有助于兆易創新在新型存儲器RRAM領域的前瞻性技術布局，從而為嵌入式產品提供更豐富的存儲解決方案。

RRAM作為一種非易失性隨機存儲方式，能夠在改變電壓的前提下，通過改變電介質的電阻進行存儲。RRAM擁有獨特物理與器件特性，可在工藝后端線(BEOL)以列陣結構制造，其列陣結構的低電壓特性能夠有效降低MCU產品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗，非常適合物聯網應用;此外，根據學術界與行業發表的相關文獻，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內存（SCM）。

早在2018年5月，兆易創新就攜手Rambus以及其他全球知名半導體投資機構創辦了以RRAM技術為核心業務的合資公司合肥睿科微。

兆易創新董事長朱一明先生表示：兆易創新一直以創新為己任，多年來致力新技術革新，強化產品競爭力，重視核心專利，此次獲得Rambus和睿科微針對RRAM技術的授權，有助于我們為客戶提供更具創新特色的存儲解決方案。

Rambus技術合作和企業發展高級副總裁KitRodgers表示：兆易創新在全球閃存領域已取得顯著的成績，我們很高興能夠將RRAM專利方案授權給兆易創新，此次授權能夠幫助其在存儲器領域開發創新型的解決方案，并加速其商用的進程。

此前，長鑫存儲技術有限公司（以下簡稱“長鑫存儲”）也與美國半導體公司RambusInc.（以下簡稱“藍鉑世”）簽署專利許可協議。依據協議，長鑫存儲從藍鉑世獲得大量動態隨機存取存儲（以下簡稱“DRAM”）技術專利的實施許可。

長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明表示：“與藍鉑世達成的協議再次表明，長鑫存儲高度重視知識產權相關的國際規則，持續強化知識產權組合。公司致力于通過自主研發與國際合作，不斷增加在半導體核心技術和高價值知識產權方面的積累，并以此為基礎實現可持續發展，穩步提升市場競爭力。”

藍鉑世總裁兼首席執行官LucSeraphin表示：“在中國DRAM市場投資顯著增長的背景下，長鑫存儲脫穎而出，成為中國DRAM產業的引領者。我們高興地看到長鑫存儲走上DRAM產業的國際舞臺。這份長期協議的簽署為長鑫存儲的業務發展提供權益保障，同時認可了藍鉑世廣泛的存儲技術專利組合的重要價值。”

美國Rambus公司在內存技術上很有實力的，過去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他們簽訂了DRAM技術授權協議。

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