首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的650 V氮化鎵(GaN)半導體的設計和制造領導者Transphorm Inc.透露，該公司已交付了逾50萬高壓GaN FET（場效應晶體管）。這一里程碑的實現歸因于客戶對其高質量、高可靠性GaN平臺的不斷采用。

一年前，Transphorm發布了第一套完整的高壓GaN功率半導體驗證數據。不久前，該公司正式發布了其最新的實地可靠性數據。Transphorm的GaN技術擁有逾50億小時的實際使用時間，目前其FIT率（故障率）小于2.0，PPM（不良率）每年低于19.8。

許多工業、基礎設施、IT和PC游戲市場的客戶已經公開宣布了使用Transphorm的GaN技術制造的在產設備。這說明了人們對于GaN解決方案的信心日益增強，預計它將成為一個有吸引力的市場。

事實上，現已屬于Informa Tech旗下的行業分析公司IHS Markit Technology預測，GaN電源分立器件、模塊和系統IC的總收入到2028年將達到12億美元，其中約7.5億美元（占整個市場的近三分之二））來自于高壓GaN解決方案。

Transphorm聯合創始人兼首席運營官Primit Parikh表示：“在業界普遍使用單芯片常關硅MOSFET的時候，我們就推出了最強大的兩芯片常關器件。正如我們眾所周知的發展勢頭以及消費類適配器領域中其他知名制造商（如Power Integrations）所證明的那樣，兩芯片常關GaN解決方案是當今最實用的高壓GaN FET設計。事實上，正是這種設計才使Transphorm的GaN實現了高性能和高可靠性，獲得了迄今為止超過50億小時(<2 FIT)的現場可靠性數據。”

Transphorm產品的成功很大程度上還是歸因于其產品的質量和可靠性(Q+R)。這種Q+R以該公司強大的常關型GaN平臺、對外延工藝的強大控制以及制造能力為后盾——可以很好地滿足從消費型適配器到汽車等各種跨行業市場的數量和質量要求。這些因素的綜合使該公司能夠生產具備空前可靠性、可設計性、可驅動性和可再現性的GaN FET。

Transphorm全球技術營銷兼北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“在GaN的目標核心高功率市場中取得成功之后，我們還正與快速增長的半導體落后市場（如消費類適配器和機頂盒）的客戶合作，因為到目前為止，我們已經交付的大多數產品都針對的是更高功率的應用。超過50萬的650V FET相當于400多萬低功率（低于100瓦）FET，這證明了我們的批量生產能力。”

關于Transphorm

富士通電子旗下代理品牌 Transphorm，是一家設計、生產氮化鎵功率轉換器和模塊的企業。 2007年成立，Transphorm以美國加州大學圣塔芭芭拉分校的教授和研究人員為主體，致力于設計、生產GaN（氮化鎵）功率轉換器和模塊，已獲得了包括谷歌、富士通、凱鵬華盈、考菲爾德及拜爾斯、索羅斯基金管理公司、量子戰略合作伙伴在內的眾多投資機構的青睞。 2013年，Transphorm推出了當時業內唯一經過JEDEC認證的GaN器件，建立了業界第一個也是唯一通過JEDEC認證的600V GaN產品線。 2014年2月，Transphorm與富士通半導體的功率器件業務部進行了業務合并，Transphorm負責設計、富士通半導體負責制造并代理銷售。 2015年，Transphorm和安森美建立合作關系，共同推出基于GAN的電源方案。公司創立十多年來，Transphorm一直專注于將高壓GaN FET推向市場。致力于為電力電子市場（數據中心服務器、PV轉換器、感應/伺服電機、工業及汽車等商業供電市場）設計、制造和銷售GaN產品。 2017年3月，又推出了市場上僅有的一款經過AEC-Q101認證的650V車用GaN器件。